类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：20V
　　最大栅源电压（VGS）：12V
　　最大漏极电流（ID）：4A
　　导通电阻（RDS(on)）：0.038Ω @ VGS=4.5V
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：SOP-8

2SK2255-01M(MR) 的主要特性包括其低导通电阻，这有助于减少导通损耗并提高整体系统效率。该MOSFET在栅极驱动电压较低时也能保持良好的性能，使其适用于电池供电设备等低电压应用场景。
　　此外，该器件采用先进的沟槽结构技术，实现了更高的电流密度和更低的开关损耗，从而提高了其在高频应用中的表现。其SOP-8封装不仅节省空间，还具备良好的热管理能力，确保在高负载条件下稳定运行。
　　该MOSFET的高可靠性设计使其能够在恶劣环境中工作，如高温和高湿条件。其额定工作温度范围从-55°C到150°C，适用于各种工业和消费类电子产品。

2SK2255-01M(MR) 常用于以下应用场景：
　　1. **电源管理**：如DC-DC转换器、同步整流器和负载开关，其低导通电阻和高效能特性可提高电源转换效率。
　　2. **电池供电设备**：适用于便携式电子设备中的电源管理系统，如笔记本电脑、平板电脑和智能手机。
　　3. **电机控制**：在小型电机驱动电路中，该MOSFET可提供稳定的开关性能和较高的电流承载能力。
　　4. **负载开关**：用于控制电子设备中的电源分配，如USB电源管理和热插拔控制。
　　5. **工业自动化**：在工业控制系统中，作为高效的功率开关元件，用于控制各种执行机构和传感器。

2SK3018, 2SK3442, 2SK2623