2SK2248是一款N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于电源管理、开关电路和功率放大器等领域。这款晶体管具有高耐压、低导通电阻和高可靠性等优点,适用于需要高效能和稳定性的电子设备。
类型:N沟道MOSFET
最大漏极电流:150mA
最大漏源电压:900V
最大栅源电压:10V
导通电阻:约150Ω
工作温度范围:-55℃至+150℃
2SK2248的主要特性包括其高耐压能力,漏源电压可高达900V,这使得它在高压应用中表现出色。
此外,该MOSFET具有较低的导通电阻,通常在150Ω左右,能够减少功率损耗并提高效率。
其最大漏极电流为150mA,适用于中等功率的开关和放大电路。
栅源电压的最大值为10V,设计上确保了栅极控制的稳定性和可靠性。
器件的工作温度范围为-55℃至+150℃,表明其在极端温度条件下仍能正常运行,具有良好的环境适应性。
2SK2248采用TO-92或类似的小型封装形式,适合在空间受限的电路板上使用。
2SK2248常用于高压开关电路、DC-DC转换器、LED驱动电路以及需要高耐压和中等电流处理能力的功率管理应用。
它也广泛应用于工业自动化设备、家用电器和消费类电子产品中,特别是在需要高效能和高可靠性的场合。
由于其良好的温度特性和稳定的电气性能,该MOSFET也适合用于环境条件较为严苛的工业控制系统中。
此外,2SK2248还可用于电池供电设备中的电源开关,以实现低功耗和长寿命的设计目标。
2SK2247, 2SK2249