类型：N沟道
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：20V（最大值）
　　漏极电流（Id）：12A（最大值，25°C）
　　导通电阻（Rds(on)）：16mΩ（最大值，Vgs=10V）
　　功率耗散（Pd）：60W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SOP

2SK2247QYUR 采用了先进的沟槽式MOSFET技术，具有非常低的导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通损耗，提高了系统效率。此外，该器件的开关速度快，适用于高频开关电源和DC-DC转换器等应用。
　　该MOSFET具有良好的热稳定性和高功率密度，能够在较高的工作温度下稳定运行。其SOP封装结构不仅节省空间，而且具备良好的散热性能，适合高密度PCB布局。
　　2SK2247QYUR 还具有高雪崩耐量和良好的短路耐受能力，使其在恶劣工作环境下仍能保持稳定的性能。这种特性使其特别适用于汽车电子、工业电源和电机控制等高可靠性要求的场合。
　　此外，该器件符合RoHS环保标准，适用于无铅工艺，满足现代电子产品对环保的要求。

2SK2247QYUR 主要应用于高频开关电源、DC-DC转换器、同步整流器、马达驱动器、电池管理系统、负载开关、电源管理模块以及汽车电子系统中的功率控制部分。其优异的导通特性和快速的开关性能也使其在LED照明驱动、便携式电子设备电源管理和工业自动化控制中广泛应用。
　　例如，在同步整流电路中，2SK2247QYUR 可以替代传统的肖特基二极管，显著提高转换效率；在马达驱动电路中，它可以实现高速PWM控制，提升马达的响应速度和运行稳定性；在电池管理系统中，该MOSFET可作为充放电控制开关，提高系统能效和安全性。

SiR142DP-T1-GE, FDS6680, AO4406A, IRF7413, 2SK3084