时间：2025/8/9 11:23:28
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2SK2213-01S 是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制和负载开关等应用。该器件采用小型SOP（Small Outline Package）封装，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性。2SK2213-01S 的设计使其适用于需要高效能和紧凑布局的电子系统中。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：4A
脉冲漏极电流（IDM）：16A
导通电阻（RDS(on)）：最大值为0.035Ω（在VGS=10V时）
功耗（PD）：2W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：SOP-8
2SK2213-01S MOSFET具备多项优异特性，适用于高效率电源管理设计。其低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件的漏源电压（VDS）为30V，适用于中低压功率转换应用，例如电源适配器、电池管理系统和负载开关等。
此外，2SK2213-01S的最大连续漏极电流为4A，脉冲漏极电流可达16A，具有较强的过载能力，适用于需要瞬态高电流的电机驱动或电源管理场景。其栅源电压为±20V，提供良好的栅极驱动兼容性，支持标准逻辑电平控制。
该MOSFET采用SOP-8封装，体积小巧，适合高密度PCB布局。同时具备良好的热稳定性，工作温度范围宽，可在-55°C至+150°C的环境中稳定运行，适用于工业级和车载应用。
2SK2213-01S的功耗为2W，在高负载条件下仍能保持良好的散热性能。其高开关速度特性也有助于降低开关损耗，提高整体能效。这些性能优势使该器件成为各类中低压功率开关应用的理想选择。
2SK2213-01S MOSFET主要应用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动器、LED驱动器、电池管理系统（BMS）以及车载电子设备中。其高效率和小尺寸封装使其特别适用于需要紧凑设计和高可靠性的便携式电子产品和工业控制系统。
2SK3018, 2SK2648, Si2302DS, IRF7409
