时间：2025/8/9 0:44:42
阅读：4
2SK2213-01L 是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于电源管理和开关应用。该器件采用了先进的平面工艺技术，提供了高功率密度和良好的热稳定性。其封装形式为TO-252（DPAK），适合表面贴装（SMT）应用，广泛用于DC-DC转换器、电池管理系统、开关电源和电机控制等领域。
类型：N沟道
漏源电压（Vds）：60V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：8A（在Tc=25℃时）
功耗（Pd）：30W
导通电阻（Rds(on)）：约0.023Ω（典型值）
工作温度范围：-55℃至150℃
封装：TO-252（DPAK）
2SK2213-01L MOSFET具有多项优良的电气和热性能，适用于多种高功率密度应用。其N沟道结构提供了低导通电阻，从而减少了导通损耗，提高了系统的整体效率。该器件的漏源电压为60V，连续漏极电流可达8A，能够承受较高的功率负载。此外，其栅源电压范围为±20V，确保了栅极控制的稳定性和可靠性。
该器件采用东芝先进的平面工艺制造，具有优异的热稳定性，能够在高温度环境下正常运行。TO-252（DPAK）封装形式不仅提供了良好的散热性能，还支持表面贴装工艺，简化了PCB布局和装配流程。这种封装方式也提高了机械强度，适合各种工业和汽车电子应用。
在实际应用中，2SK2213-01L 的低导通电阻和高电流能力使其非常适合用于DC-DC转换器、电池管理系统、开关电源和电机控制等高效率电源管理方案。其高可靠性和稳定的电气性能也使其能够在恶劣的环境条件下长期运行。
2SK2213-01L MOSFET被广泛应用于多个电子系统和设备中。其主要用途包括DC-DC转换器，用于提高或降低电压水平以满足不同电路的需求。在电池管理系统中，它用于高效地充放电控制和保护电路。此外，它还被用于开关电源设计，提供高效的电源转换，减少能量损耗。电机控制应用中，该器件可以用于调节电机的速度和扭矩，实现精确控制。其他应用还包括电源管理模块、工业自动化设备和汽车电子系统等。
Si4410BDY-T1-GE3, FDS6680, IRLZ44N, 2SK3084, 2SK2648
