类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：15A
　　最大漏源电压（VDS）：60V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：约0.033Ω（典型值）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：TO-220

2SK2204 具备多项显著的性能特性，首先，它的低导通电阻（RDS(on)）确保了在大电流工作条件下功率损耗最小化，提高了系统的整体效率。这种特性对于高频率开关应用尤为重要，因为它有助于减少开关损耗和热生成。
　　其次，2SK2204 的最大漏极电流为15A，漏源电压为60V，使其适用于多种中高功率的应用场景。其高电流和电压能力确保了器件能够在较宽的工作范围内稳定运行。
　　此外，该MOSFET的栅源电压范围为±20V，提供了良好的栅极控制能力，并增强了器件的抗过压能力。这使得2SK2204 在复杂的电路环境中具有更高的稳定性和耐用性。
　　在封装方面，2SK2204 采用TO-220封装，具有良好的散热性能和机械强度，适合用于需要较高功率耗散的应用。该封装也便于在印刷电路板（PCB）上安装和焊接，提高了生产效率。
　　最后，2SK2204 的工作温度范围为-55°C至+150°C，适应了多种恶劣的环境条件，确保了在高温或低温环境下依然能够可靠工作。

2SK2204 主要用于以下几种应用场景：首先，在电源管理电路中，该MOSFET可以作为高效开关，用于DC-DC转换器、稳压电源和电池管理系统中，以提高能效并减少热量产生。
　　其次，在射频（RF）功率放大器中，2SK2204 由于其高频响应能力和低导通电阻，常用于无线通信设备、广播发射机和工业加热设备中的功率放大级。
　　此外，该器件还广泛应用于电机控制、LED驱动器和太阳能逆变器等需要高效功率开关的场合。其高电流承载能力和良好的热稳定性使其成为这些应用的理想选择。
　　在汽车电子系统中，2SK2204 也常用于车灯控制、电动助力转向系统和车载充电器等部件，确保系统在复杂工况下的稳定运行。

2SK2204 的替代型号包括：2SK2648、2SK3048、IRFZ44N、IRF3710、Si4410DY