2SK2193是一种N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高频功率放大和开关应用。该器件由东芝(Toshiba)公司生产,具有高耐压、低导通电阻和高频响应等优点。2SK2193通常用于电源管理、DC-DC转换器、音频功率放大器以及射频(RF)放大器等场合。它的封装形式通常是TO-220或TO-247,便于散热和安装。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):900V
栅源电压(Vgs):30V
漏极电流(Id):5A
导通电阻(Rds(on)):约2.5Ω(典型值)
功率耗散(Pd):80W
工作温度范围:-55°C至+150°C
封装类型:TO-220、TO-247
2SK2193具备多项优异的电气特性。首先,它具有较高的漏源击穿电压(900V),能够承受较大的电压应力,适用于高压开关电路。其次,其较低的导通电阻(Rds(on))使得在导通状态下的功率损耗较小,提高了整体系统的效率。此外,2SK2193的栅极电荷(Qg)较低,有助于在高频开关应用中减少开关损耗,提升响应速度。
该器件的热性能也较为出色,TO-220或TO-247封装设计有助于有效散热,确保在高功率工作条件下仍能保持稳定。其工作温度范围广泛(-55°C至+150°C),适应各种恶劣工作环境。此外,2SK2193具有良好的抗雪崩能力,能够在瞬态电压冲击下保持稳定运行,提高系统的可靠性。
在高频应用中,2SK2193的寄生电容较小,有助于减少高频信号失真,使其适用于射频功率放大器等高频电路。同时,其快速的开关特性也使其适用于脉宽调制(PWM)控制、逆变器和电机驱动等应用。
2SK2193广泛应用于多个领域。在电源管理方面,它常用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和AC-DC整流器,以实现高效的能量转换。在音频放大器中,2SK2193可用于高频功率放大,提供清晰的音频输出。此外,该器件也适用于逆变器系统、电机控制电路和电子负载设备。
在工业控制领域,2SK2193可用于PLC(可编程逻辑控制器)的输出模块、继电器驱动电路和传感器电源管理。在消费电子产品中,它常用于LED照明驱动、充电器和适配器等电源模块。由于其良好的高频特性,2SK2193也被用于射频放大器和无线通信设备中的功率放大模块。
2SK2198, 2SK1530, 2SK1358, IRF840, IRF740