型号：2SK2192
　　极性：N沟道
　　漏源电压（Vds）：500V
　　连续漏极电流（Id）：7A
　　脉冲漏极电流（Idm）：28A
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　功耗（Pd）：100W
　　导通电阻（Rds(on)）：0.65Ω（典型值）
　　开启阈值电压（Vgs(th)）：4V～6V
　　输入电容（Ciss）：1100pF（典型值）
　　输出电容（Coss）：350pF（典型值）
　　反向传输电容（Crss）：60pF（典型值）
　　栅极电荷（Qg）：45nC（典型值）
　　上升时间（tr）：60ns
　　下降时间（tf）：30ns
　　工作结温范围（Tj）：-55℃～+150℃
　　存储温度范围（Tstg）：-55℃～+150℃
　　封装类型：TO-220

2SK2192具备多项优异的电气与结构特性，使其在众多功率MOSFET中脱颖而出。首先，其高达500V的漏源击穿电压使其能够安全地应用于各种离线式开关电源设计中，特别是在通用输入电压范围（85VAC～265VAC）下的反激式转换器中表现尤为出色。该器件的导通电阻典型值为0.65Ω，在同类产品中处于合理水平，能够在7A的工作电流下保持较低的导通损耗，有助于提升电源系统的整体效率。更低的Rds(on)也意味着在相同功耗下产生的热量更少，从而延长了系统的使用寿命并提高了可靠性。
　　其次，2SK2192采用了优化的栅极结构设计，显著降低了栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），这不仅减少了开关过程中的能量损耗，还降低了对驱动电路的功率要求，使控制器可以更轻松地驱动该MOSFET，特别适合搭配常见的PWM控制芯片如UC3842、TL494等使用。低Crss（反向传输电容）也有助于抑制米勒效应，减少误触发的风险，提高开关动作的稳定性。
　　此外，该器件具备良好的热性能，TO-220封装提供了较大的金属背板面积，便于与散热器连接，有效传导内部产生的热量。在自由空气环境中，其最大功耗可达100W，但在实际应用中通常需根据散热条件进行降额使用以确保长期可靠运行。2SK2192还具有较强的抗雪崩能力，能够在瞬态过压情况下吸收一定的能量而不发生永久性损坏，增强了系统在异常工况下的鲁棒性。
　　从制造工艺角度看，2SK2192基于成熟的平面硅技术，保证了批次间的一致性和高良率，有利于大规模生产中的质量控制。同时，该器件符合RoHS环保标准，不含铅和其他有害物质，满足现代电子产品对环保的要求。总体而言，这些特性使得2SK2192成为一款性能均衡、可靠性高、适用范围广的中功率N沟道MOSFET器件。

2SK2192主要应用于各类中等功率的开关电源系统中，尤其适合作为初级侧的开关元件使用。在反激式（Flyback）拓扑结构的AC-DC电源中，该器件被广泛用于电视机、显示器、打印机、小型家电等消费类电子产品的内置电源模块中，承担将交流输入电压转换为稳定直流输出的任务。由于其具备500V的耐压能力和7A的持续电流承载能力，能够很好地适应85VAC至265VAC的宽输入电压范围，因此在全球通用电源设计中具有很高的适配性。
　　除了传统的离线式电源外，2SK2192也常见于DC-DC升压或降压转换器中，尤其是在工业控制设备、通信电源和LED驱动电源中作为主开关管使用。在LED照明领域，特别是大功率LED灯具的恒流驱动方案中，该MOSFET可用于构建高效的开关调节电路，实现精确的电流控制和高光效输出。
　　另外，由于其良好的开关特性和较低的驱动需求，2SK2192也被用于逆变器、UPS不间断电源以及电池充电器等设备中，执行能量转换和功率调节功能。在电机驱动类应用中，虽然不适用于大电流或高频桥式驱动，但在一些小功率单向驱动电路中仍可发挥作用。
　　值得一提的是，该器件因其TO-220封装易于手工焊接和维修，也被广泛用于教学实验、原型开发和小批量生产项目中，深受电子爱好者和初级研发工程师的青睐。综合来看，2SK2192的应用场景覆盖了消费电子、工业控制、照明系统等多个领域，是一款通用性强、实用性高的功率开关器件。

2SK2193, 2SK2546, 2SK2641, K2192, FQP7N50, STP7NK50ZFP