时间：2025/9/7 3:45:07
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2SK217ZE 是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于电源管理和功率放大电路中。该器件采用高密度单元设计，具有低导通电阻和优异的开关性能，适用于高效率电源转换器、电机驱动器和DC-DC转换器等应用。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流（ID）：15A
最大漏源电压（VDS）：60V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：最大值为0.027Ω（典型值0.022Ω）
功耗（PD）：40W
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：TO-220
2SK217ZE 具备多项优异特性，包括低导通电阻（RDS(on)），可有效降低导通损耗，提高系统效率；具备高耐压能力（60V漏源电压），适用于中高压功率应用；器件的栅极驱动电压范围宽，可达±20V，增强了控制灵活性。此外，该MOSFET具有良好的热稳定性和抗过载能力，可在高功率环境下稳定运行。其TO-220封装形式具备良好的散热性能，适用于需要较高功率耗散的应用场景。
该器件还具备快速开关特性，降低了开关损耗，使其适用于高频开关电路。此外，2SK217ZE 的制造工艺确保了良好的一致性与可靠性，适合工业级和消费类电子产品的设计需求。其结构优化设计还提升了抗静电能力（ESD）和抗热失控性能，进一步增强了器件在严苛环境下的耐用性。
2SK217ZE 主要应用于各类电源管理电路中，如同步整流器、DC-DC转换器、电池充电电路、电机驱动器以及功率放大器。此外，该器件也广泛用于工业自动化设备、UPS（不间断电源）、LED照明驱动电路、太阳能逆变器和电动工具等需要高效能功率控制的场合。其低导通电阻和良好的热管理特性也使其成为高效率电源设计的理想选择。
2SK217Y(SJ), 2SK217Y(ZE), 2SK217Y(TE), 2SK217Y(VG), 2SK217Y(EL)
