2SK2167-TD 时间：2025/9/20 9:09:53 阅读：4

2SK2167-TD是一款由东芝（Toshiba）公司生产的N沟道功率MOSFET，专为高频开关应用设计，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器以及各类消费类电子设备中。该器件采用先进的平面硅栅极工艺技术制造，具有低导通电阻（RDS(on)）、高开关速度和良好的热稳定性等优点。其封装形式为小型化的表面贴装型（SOP），适合高密度PCB布局，有助于减小整体电路板尺寸，提高系统集成度。由于其优异的电气性能和可靠性，2SK2167-TD在便携式电子产品如笔记本电脑、智能手机和平板电脑的电源系统中得到了广泛应用。
　　该MOSFET的工作电压范围适中，能够承受一定的瞬态电压冲击，并具备良好的抗雪崩能力，从而提升了系统的安全性和耐用性。此外，该器件符合RoHS环保标准，不含铅和其他有害物质，适用于绿色电子产品制造。通过优化内部结构设计，2SK2167-TD能够在较高频率下保持较低的开关损耗，提升电源转换效率，减少能量浪费与发热问题，是现代高效能电源模块中的理想选择之一。

参数

型号：2SK2167-TD
　　极性：N沟道
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：4.2A（@ Ta=25°C）
　　脉冲漏极电流（IDM）：16.8A
　　导通电阻 RDS(on)：35mΩ（@ VGS=10V, ID=2.1A）
　　阈值电压（Vth）：1.0V ~ 2.0V
　　输入电容（Ciss）：520pF（@ VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz）
　　输出电容（Coss）：140pF
　　反向传输电容（Crss）：40pF
　　功耗（PD）：1.5W（@ Ta=25°C）
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOP

特性

2SK2167-TD具备出色的导通特性，其低导通电阻RDS(on)仅为35mΩ，在VGS=10V条件下可显著降低导通状态下的功率损耗，提高电源系统的整体效率。这一特性使其非常适合用于电池供电设备中的同步整流或负载开关应用，能够在大电流输出时保持较低温升，延长设备使用寿命。
　　该器件拥有快速的开关响应能力，得益于较小的栅极电荷（Qg）和低输入/输出电容值，使得其在高频PWM控制环境下表现出色，有效减少了开关过程中的能量损耗。这对于需要高频率工作的DC-DC变换器尤为重要，有助于实现更高的功率密度和更紧凑的设计。
　　热稳定性方面，2SK2167-TD采用了优化的芯片布局和封装材料，确保在高温环境下仍能稳定运行。其最大结温可达150°C，并配备良好的散热路径，即使在持续高负载条件下也能维持可靠性能。
　　此外，该MOSFET具有较强的抗静电放电（ESD）能力和栅极保护机制，避免因意外过压导致器件损坏。内置的体二极管也提供了反向电流续流路径，增强了在感性负载切换时的安全性。
　　总体而言，2SK2167-TD结合了高性能、小体积与高可靠性，满足现代电子设备对能效、空间利用和长期稳定性的多重需求，是一款适用于多种电源拓扑结构的理想功率开关元件。

应用

2SK2167-TD主要应用于各类中小型功率的电源管理系统中，尤其适用于便携式电子设备中的DC-DC转换电路，如笔记本电脑、平板电脑和移动电源等产品的电压调节模块。其低导通电阻和高开关速度使其成为同步降压（Buck）转换器中下管MOSFET的理想选择，能够有效提升转换效率并减少热量产生。
　　在电池管理系统中，该器件可用于电池充放电控制回路，作为高边或低边开关使用，提供精确的电流通断控制，保障电池安全。同时，它也可用于LED背光驱动电路中，作为恒流源的开关元件，实现亮度调节功能。
　　此外，2SK2167-TD还广泛用于各种消费类电子产品中的负载开关，例如在主板上的不同功能模块供电控制，通过启用或关闭特定电路来实现节能目的。其小型化SOP封装便于自动化贴片生产，适应大规模制造需求。
　　在工业控制领域，该MOSFET可用于低功率电机驱动、传感器供电开关以及隔离式电源接口中，提供快速响应和稳定的电流控制能力。由于其良好的温度特性和抗干扰能力，即使在复杂电磁环境中也能保持稳定工作。
　　综上所述，2SK2167-TD凭借其优良的电气性能和紧凑的封装形式，适用于从消费电子到工业控制等多个领域的中低功率开关应用场合。