RTQ035N03 时间：2025/12/24 10:28:55 阅读：20

RTQ035N03是一款N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、电机驱动、负载开关以及其他需要高效功率切换的场景。该器件具有低导通电阻、快速开关特性和高电流处理能力，能够在高频工作条件下保持较低的功耗和良好的热性能。
　　其封装形式通常为TO-220或DPAK，适合表面贴装或通孔安装。由于其出色的电气性能，RTQ035N03被设计用于工业、消费类电子和汽车领域中的各种应用。

参数

型号：RTQ035N03
　　类型：N-Channel MOSFET
　　Vds（漏源电压）：30V
　　Rds(on)（导通电阻）：3.5mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
　　Id（连续漏极电流）：80A
　　BVDSS（漏源击穿电压）：30V
　　Vgs（栅源电压）：±20V
　　fT（特征频率）：6.4MHz
　　封装形式：TO-220, DPAK
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C

特性

1. 极低的导通电阻（Rds(on)）确保了高效的功率转换和最小的传导损耗。
　　2. 高电流承载能力（最大80A）使其适用于大功率应用。
　　3. 快速开关速度和低输入电容降低了开关损耗。
　　4. 耐热增强型封装提高了散热性能，有助于延长器件寿命。
　　5. 符合RoHS标准，环保且无铅。
　　6. 内置ESD保护功能，增强了器件的可靠性。
　　7. 支持宽范围的工作温度（-55°C至+175°C），适应恶劣环境下的使用需求。

应用

1. 开关电源（SMPS）和DC-DC转换器中的功率开关。
　　2. 电机驱动电路中的桥式配置或半桥驱动。
　　3. 汽车电子系统中的负载开关和保护电路。
　　4. 工业自动化设备中的功率控制模块。
　　5. 高效同步整流电路。
　　6. 各种电池管理系统中的充放电控制开关。
　　7. LED驱动电路中的电流调节元件。