时间：2025/8/8 22:02:05
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2SK2166-01是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道增强型功率MOSFET，主要用于高频开关和功率放大应用。这款MOSFET以其低导通电阻、高功率处理能力和良好的热稳定性而著称。2SK2166-01特别适用于DC-DC转换器、电源管理和电池充电系统等应用场合。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：200V
栅源电压（Vgs）：±30V
漏极电流（Id）：连续15A（25°C），脉冲60A
导通电阻（Rds(on)）：最大0.16Ω（在Vgs=10V）
功率耗散（Pd）：150W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-220
2SK2166-01具有多个关键特性，使其在功率电子应用中表现出色。首先，它的低导通电阻（Rds(on)）确保了在高电流下仍能保持较低的功率损耗，从而提高整体效率。其次，该MOSFET具有较高的耐压能力，能够承受高达200V的漏源电压，适用于高电压输入的电路设计。
此外，2SK2166-01的封装形式为TO-220，具有良好的散热性能，可以在高功率工作条件下保持稳定的温度。其额定漏极电流为15A（在25°C环境温度下），并且能够承受高达60A的脉冲电流，适用于瞬时高负载的应用场景。
这款MOSFET还具有良好的栅极驱动特性，栅源电压范围为±30V，使其适用于多种栅极驱动电路。由于其增强型特性，该器件在零栅压下处于关闭状态，适合用于开关电路中的主动控制。
另外，2SK2166-01的热阻较低，有助于减少因高温引起的性能下降，并且能够在-55°C至150°C的宽温度范围内稳定工作，适合在各种环境条件下使用。
2SK2166-01广泛应用于多种电力电子系统中。最常见的是在DC-DC转换器中作为开关元件使用，用于提高电源转换效率并减小系统体积。此外，它也常用于电源管理系统、电池充电器和电机控制电路中，作为功率开关器件实现高效的能量传输。
在音频放大器设计中，2SK2166-01也可用于高频功率放大模块，提供高保真音频输出。在工业自动化设备和消费类电子产品中，该MOSFET可用于开关控制和负载管理，确保设备在高功率条件下的稳定运行。
由于其高耐压和高电流能力，2SK2166-01也常用于逆变器系统、LED照明驱动电源以及太阳能逆变器等新能源应用中。
2SK2166, 2SK2167-01, 2SK2168-01
