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2SK2152 发布时间 时间:2025/8/2 6:07:42 查看 阅读:29

2SK2152是一款由东芝(Toshiba)生产的N沟道增强型功率MOSFET,广泛用于高频开关和功率放大应用中。这款MOSFET具有低导通电阻、高耐压和高电流承载能力,适用于需要高效能和高稳定性的电子电路设计。2SK2152通常采用TO-220封装形式,适合于多种电源管理和功率控制场景。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  漏源电压(Vds):500V
  栅源电压(Vgs):30V
  漏极电流(Id):17A
  导通电阻(Rds(on)):0.35Ω(最大)
  功率耗散(Pd):150W
  工作温度范围:-55°C至150°C
  封装形式:TO-220

特性

2SK2152具备多项高性能特性,包括低导通电阻,有助于减少功率损耗并提高能效;高耐压能力使其适用于高压电路环境,确保稳定性和可靠性;较高的漏极电流额定值允许该器件在大功率应用中运行;此外,该MOSFET具有快速开关特性,适合用于高频开关电源和DC-DC转换器。其TO-220封装设计提供了良好的散热性能,适合需要高功率密度的应用场景。
  在可靠性方面,2SK2152具有良好的热稳定性,并能承受一定的瞬态过载。该器件还具备一定的抗静电能力和过热保护特性,适用于工业环境中的长期运行。其设计也支持并联使用,以进一步提升系统功率处理能力。

应用

2SK2152主要应用于各种电源管理系统,包括开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、逆变器和电机控制电路。由于其高耐压和大电流特性,该器件也常用于工业自动化设备、UPS(不间断电源)系统以及LED照明驱动电路。在消费类电子产品中,它可用于高性能电源模块的设计。此外,2SK2152还适用于需要高效能功率控制的新能源系统,如太阳能逆变器和电动车充电设备。

替代型号

2SK1530, 2SK2142, IRFBC40, IRFZ44N

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