时间：2025/9/7 5:18:49
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2SK2113YY-TL 是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高频开关和功率放大应用。该器件采用小型SOT-23封装，适用于需要高效率和紧凑设计的便携式电子产品和电源管理系统。该MOSFET具有低导通电阻、快速开关特性和高可靠性，使其适用于DC-DC转换器、负载开关和电池管理系统等应用场景。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（ID）：100mA（最大）
漏极-源极电压（VDS）：100V
栅极-源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：约5Ω（在VGS=10V时）
功率耗散（PD）：200mW
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：SOT-23
2SK2113YY-TL 的主要特性之一是其低导通电阻，这有助于降低导通状态下的功率损耗，提高系统效率。此外，该器件具有快速开关能力，使其适用于高频开关电路，从而减小外部电感和电容的尺寸，提高整体系统的功率密度。该MOSFET的SOT-23封装体积小巧，便于在空间受限的设计中使用，同时具备良好的热稳定性。
该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持±20V，允许使用标准逻辑电平进行控制，提高了设计灵活性。此外，其高击穿电压（100V VDS）使其适用于多种中低压功率转换应用。在可靠性方面，2SK2113YY-TL具备较强的抗静电能力和稳定的热性能，可在严苛环境下长期稳定工作。
2SK2113YY-TL 主要应用于便携式电子设备中的功率管理电路，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的DC-DC转换器和负载开关。此外，它也可用于LED驱动电路、小型电源适配器、电池保护电路以及各种低功耗开关应用。其高频特性使其适用于射频（RF）功率放大器的偏置控制电路和低功率电机控制电路。
2SK30AM, 2SK2112YY-TL
