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2SK2113YY-TL 发布时间 时间:2025/9/7 5:18:49 查看 阅读:29

2SK2113YY-TL 是一款由东芝(Toshiba)制造的N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高频开关和功率放大应用。该器件采用小型SOT-23封装,适用于需要高效率和紧凑设计的便携式电子产品和电源管理系统。该MOSFET具有低导通电阻、快速开关特性和高可靠性,使其适用于DC-DC转换器、负载开关和电池管理系统等应用场景。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏极电流(ID):100mA(最大)
  漏极-源极电压(VDS):100V
  栅极-源极电压(VGS):±20V
  导通电阻(RDS(on)):约5Ω(在VGS=10V时)
  功率耗散(PD):200mW
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  封装类型:SOT-23

特性

2SK2113YY-TL 的主要特性之一是其低导通电阻,这有助于降低导通状态下的功率损耗,提高系统效率。此外,该器件具有快速开关能力,使其适用于高频开关电路,从而减小外部电感和电容的尺寸,提高整体系统的功率密度。该MOSFET的SOT-23封装体积小巧,便于在空间受限的设计中使用,同时具备良好的热稳定性。
  该器件的栅极驱动电压范围较宽,支持±20V,允许使用标准逻辑电平进行控制,提高了设计灵活性。此外,其高击穿电压(100V VDS)使其适用于多种中低压功率转换应用。在可靠性方面,2SK2113YY-TL具备较强的抗静电能力和稳定的热性能,可在严苛环境下长期稳定工作。

应用

2SK2113YY-TL 主要应用于便携式电子设备中的功率管理电路,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的DC-DC转换器和负载开关。此外,它也可用于LED驱动电路、小型电源适配器、电池保护电路以及各种低功耗开关应用。其高频特性使其适用于射频(RF)功率放大器的偏置控制电路和低功率电机控制电路。

替代型号

2SK30AM, 2SK2112YY-TL

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