时间：2025/5/15 9:37:02
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2SK208-Y是一种N沟道场效应晶体管（MOSFET），主要用于高频放大和开关应用。该器件属于双极型功率晶体管系列，广泛应用于射频功放、音频功放以及其他需要高增益和低噪声特性的电路中。
2SK208-Y具有较低的栅极阈值电压和较高的跨导特性，因此在小信号放大和高频应用方面表现出色。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压Vds：60V
最大栅源电压Vgs：±30V
最大漏极电流Id：4A
输入电容Ciss：550pF
输出电容Coss：10pF
反向传输电容Crss：3.5pF
最大耗散功率Pd：35W
工作温度范围：-55℃至+175℃
2SK208-Y的主要特点是其优异的高频性能和稳定性。它具有较低的寄生电容和电阻，适合于高频应用。同时，该器件的线性度和增益表现良好，在音频和射频功率放大器中能够提供稳定的输出。
此外，2SK208-Y还具有良好的热稳定性和耐用性，适用于恶劣的工作环境。其封装形式通常为TO-3或TO-218，便于散热处理。
由于其优秀的电气特性和可靠性，2SK208-Y被广泛应用于无线通信设备、广播发射机以及专业音频设备等领域。
2SK208-Y的应用领域主要包括射频功率放大器设计、音频功率放大器、开关电源中的开关元件、工业控制中的功率驱动模块等。
在业余无线电领域，2SK208-Y也被用作末级功率放大器的核心元件，尤其是在HF波段的线性放大器中。
此外，该器件还可用于电机驱动、逆变器电路以及其他需要高性能功率开关的应用场景。
2SK208, 2SK208B, 2SK208C
