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SI4936ADY-T1-E3 发布时间 时间:2025/6/11 20:08:43 查看 阅读:39

SI4936ADY-T1-E3是来自Skyworks公司的一款高效射频开关芯片,采用CMOS工艺制造。该器件支持低插入损耗和高隔离性能,广泛适用于各种无线通信设备,例如蜂窝电话、Wi-Fi模块以及物联网(IoT)设备中的射频信号切换场景。此型号为双刀双掷(SPDT)配置,并具备极低的功耗和小型化的封装设计,非常适合便携式电子设备。

参数

封装:QFN 2x2mm
  工作频率范围:30MHz 至 3GHz
  插入损耗:0.35dB(典型值)
  隔离度:38dB(最小值)
  最大RF功率处理能力:32dBm
  电源电压:1.7V 至 3.6V
  静态电流:5μA(最大值)
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C

特性

1. 极低的插入损耗,在高频范围内表现出色。
  2. 高隔离度确保了信号间的干扰最小化。
  3. 超低功耗设计延长了电池供电设备的工作时间。
  4. 小型化封装使得其非常适用于空间受限的设计。
  5. 支持宽泛的电源电压范围,增强了其兼容性。
  6. 可靠的电气性能和稳定性,适用于严苛的工作环境。

应用

1. 智能手机和平板电脑中的射频前端模块。
  2. Wi-Fi和蓝牙模块的信号切换。
  3. 物联网设备中的射频信号控制。
  4. GPS接收器和其他无线通信系统的射频开关应用。
  5. 可穿戴设备和其他超紧凑型电子产品的射频路径管理。

替代型号

SI4936AY-T1-E3
  SI4937ADY-T1-E3

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SI4936ADY-T1-E3参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型2 个 N 沟道(双)
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C4.4A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C36 毫欧 @ 5.9A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs20nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最大1.1W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOICN
  • 包装带卷 (TR)