2SK208-GR 时间：2025/5/20 22:23:35 阅读：5

2SK208-GR是一种N沟道MOSFET功率晶体管，由富士电机（Fuji Electric）生产。这种晶体管主要用于高频和高功率应用场合，例如射频放大器、工业设备中的开关电源以及通信设备等。2SK208-GR以其低导通电阻和高开关速度著称，在需要高效功率转换的场景中表现优异。
　　该晶体管采用TO-3PF封装形式，具备较高的耐用性和散热性能，使其能够承受较大的电流和电压负载。

参数

最大漏源电压：500V
　　最大漏极电流：1A
　　最大耗散功率：65W
　　栅源开启电压：3V~6V
　　导通电阻：20Ω
　　输入电容：420pF
　　开关时间：开启时间 0.1μs5μs

特性

2SK208-GR具有以下主要特性：
　　1. 高击穿电压：能够支持高达500V的工作电压，适合高压应用场景。
　　2. 快速开关速度：其开启和关闭时间都非常短，分别仅为0.1μs和0.15μs，这使得它在高频工作条件下表现优异。
　　3. 低导通电阻：尽管其额定值为20Ω，但在实际使用中通常处于较低水平，有助于减少功耗。
　　4. 高可靠性：通过严格的测试和筛选，确保器件能够在恶劣环境下稳定运行。
　　5. TO-3PF封装：提供良好的热管理和电气连接性能，同时便于安装在各种电路板上。

应用

2SK208-GR适用于多种电力电子应用领域：
　　1. 射频功率放大器：由于其高频特性和高输出能力，非常适合用于无线电通信设备中的功率放大。
　　2. 开关电源：可用于构建高效的开关模式电源（SMPS），以实现电压调节和转换。
　　3. 工业控制：在自动化系统中作为驱动元件，用于控制电机或其他负载。
　　4. 通信设备：在基站和其他通信基础设施中用作信号放大的关键组件。
　　5. 其他高电压、高频应用：如医疗设备、测试测量仪器等对性能要求苛刻的场合。