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C3M0021120K 发布时间 时间:2025/5/8 15:22:06 查看 阅读:4

C3M0021120K 是一款碳化硅 (SiC) MOSFET,由 Wolfspeed(原 Cree)生产。该器件专为高频、高效能应用设计,适用于高电压和大电流场合。其出色的开关特性和低导通电阻使其成为太阳能逆变器、电机驱动、不间断电源 (UPS) 和其他功率转换系统的理想选择。
  该型号采用 TO-247 封装形式,能够承受高达 1200V 的阻断电压,并具有极低的导通电阻 (<21mΩ),从而显著降低了功率损耗并提高了系统效率。

参数

类型:SiC MOSFET
  封装:TO-247-3
  额定电压:1200V
  额定电流:28A
  导通电阻:21mΩ
  栅极电荷:95nC
  输入电容:1460pF
  最大功耗:150W
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

C3M0021120K 具有以下显著特性:
  1. 高电压耐受能力,额定电压达 1200V,非常适合高压应用场景。
  2. 极低的导通电阻 (<21mΩ),有效降低传导损耗。
  3. 出色的开关性能,栅极电荷仅为 95nC,有助于减少开关损耗。
  4. 宽广的工作温度范围 (-55℃ 至 +175℃),能够在极端环境下稳定运行。
  5. 碳化硅材料提供更高的热导率和更快的开关速度,适合高频应用。
  6. 高可靠性,能够承受恶劣的工作条件和负载变化。
  这些特点使得 C3M0021120K 在高功率密度和高效能的应用中表现出色。

应用

C3M0021120K 广泛应用于以下领域:
  1. 太阳能逆变器:用于将直流电转换为交流电,提高能量转换效率。
  2. 电动汽车 (EV) 充电器:实现快速充电和高效率的能量传输。
  3. 电机驱动:控制电机的速度和扭矩,降低系统能耗。
  4. 不间断电源 (UPS):提供可靠的电力保障,确保关键设备的正常运行。
  5. 工业电源:满足高功率工业设备的供电需求。
  由于其高效的功率转换能力和宽禁带半导体技术,C3M0021120K 成为了现代电力电子设备的理想选择。

替代型号

C3M0030120K, C2M0025120D

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C3M0021120K参数

  • 现有数量2,832现货
  • 价格1 : ¥293.59000管件
  • 系列C3M?
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术SiCFET(碳化硅)
  • 漏源电压(Vdss)1200 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)100A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)15V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)28,8 毫欧 @ 50A,15V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)3,6V @ 17,7mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)162 nC @ 15 V
  • Vgs(最大值)+15V,-4V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)4818 pF @ 1000 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)469W(Tc)
  • 工作温度-40°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装TO-247-4L
  • 封装/外壳TO-247-4