型号：2SK2076
　　极性：N沟道
　　漏源电压（Vds）：500 V
　　栅源电压（Vgs）：±30 V
　　漏极电流（Id）：7 A（连续）
　　脉冲漏极电流（Idm）：28 A
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值 0.55 Ω @ Vgs = 10 V
　　阈值电压（Vth）：2.0 V ~ 4.0 V
　　最大功耗（Pd）：50 W
　　工作结温范围（Tj）：-55 °C 至 +150 °C
　　输入电容（Ciss）：典型值 900 pF @ Vds = 25 V
　　输出电容（Coss）：典型值 180 pF
　　反向恢复时间（trr）：未集成续流二极管，不适用
　　封装类型：TO-220

2SK2076的首要特性是其高耐压能力，漏源击穿电压高达500V，使其非常适合用于高压开关电源和工业控制设备中的主开关元件。这一特性确保了器件在瞬态电压波动或负载突变情况下仍能保持稳定运行，有效防止因过压导致的击穿损坏。
　　其次，该MOSFET具备较低的导通电阻（Rds(on)），在Vgs=10V条件下典型值仅为0.55Ω。低Rds(on)意味着在导通状态下功率损耗更小，从而提高了系统的整体能效，并减少了散热需求。这对于紧凑型高功率密度设计尤为重要，有助于缩小电源模块体积并提升长期运行的可靠性。
　　另一个显著特性是其良好的热性能。得益于TO-220封装结构和优化的芯片设计，2SK2076能够有效传导和散发工作过程中产生的热量。其最大功耗可达50W，在配备适当散热器的情况下可长时间稳定运行于高温环境中，适用于诸如不间断电源（UPS）、逆变器和电机控制器等持续高负荷应用场景。
　　此外，2SK2076具有较快的开关速度，得益于较低的输入和输出电容（Ciss和Coss），使得其在高频开关电路中表现优异。这不仅降低了开关过程中的能量损耗，也提升了电源转换效率，尤其适用于现代高频DC-DC变换器和PWM控制电路。
　　最后，该器件具备较强的抗干扰能力和可靠性。其栅极氧化层经过特殊处理，能够承受±30V的栅源电压，避免因误操作或噪声干扰造成永久性损伤。同时，器件内部结构具备一定的抗雪崩能力，能够在短时过载或感性负载关断时吸收部分能量而不失效，进一步增强了系统鲁棒性。

2SK2076广泛应用于各类需要高电压、中等电流开关功能的电子系统中。最常见的应用领域是开关模式电源（SMPS），包括AC-DC适配器、离线式反激变换器和正激变换器等。在这些拓扑结构中，2SK2076作为主开关管承担能量传递任务，利用其高耐压和低导通损耗优势实现高效电能转换。
　　在DC-DC升压或降压转换器中，尤其是在输入电压较高的工业电源系统中，2SK2076常被用作功率开关元件。其快速开关响应和稳定的电气特性有助于提升转换效率，并减少电磁干扰（EMI）。这类应用常见于电信设备、自动化控制系统和嵌入式电源模块中。
　　此外，该器件也适用于电机驱动电路，特别是在小型直流电机或步进电机的H桥或单端正激驱动方案中。凭借其7A的连续漏极电流能力，2SK2076可以驱动中等功率负载，并通过PWM信号实现精确的速度或扭矩控制。
　　在照明系统方面，2SK2076可用于荧光灯电子镇流器或LED驱动电源中，特别是在需要高压启动和恒流控制的场合。其高击穿电压特性保障了在冷启动或异常工况下的安全运行。
　　其他应用还包括逆变器、不间断电源（UPS）、电池充电器以及各类工业加热控制装置。由于其封装便于安装和散热，2SK2076也常被用于原型开发和教学实验平台中，作为学习MOSFET特性和功率电子技术的理想器件。

2SK2077,2SK2545,2SK2640,2SK2996