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1N5819HW1 发布时间 时间:2025/8/7 12:18:26 查看 阅读:36

1N5819HW1 是一款由ON Semiconductor生产的肖特基二极管(Schottky Diode),主要用于需要高效能和快速开关的应用中。该二极管采用SOD-123封装,具有低正向电压降和快速恢复时间的特点,适用于电源管理、DC-DC转换器、逆变器、续流二极管等电路设计。

参数

类型:肖特基二极管
  最大重复峰值反向电压:40V
  最大平均正向电流:1A
  正向电压(IF=1A时):0.35V至0.55V
  反向漏电流(VR=40V时):≤0.1mA
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  封装形式:SOD-123

特性

1N5819HW1的主要特性是其高效的电能转换能力。由于采用肖特基结构,该器件在正向导通时具有较低的电压降,从而减少了功率损耗并提高了整体效率。此外,其快速的反向恢复时间(trr)使得该器件非常适合在高频开关应用中使用。该器件的封装设计也适用于表面贴装技术(SMT),便于在现代电子设备中使用。
  在可靠性方面,1N5819HW1具有较高的热稳定性,能够在较宽的温度范围内稳定工作。其封装材料符合RoHS环保标准,确保了器件在环保方面的合规性。同时,其反向漏电流控制得非常低,有助于减少在高电压应用中的能量损耗,从而延长设备的使用寿命。

应用

1N5819HW1常用于电源管理系统,特别是在DC-DC转换器中作为整流元件,以提高能量转换效率。它也广泛应用于逆变器系统、不间断电源(UPS)、电池充电器、太阳能逆变器以及各类工业控制设备中。由于其快速恢复特性,适合用于高频整流和开关电路中。此外,在需要高可靠性和高效率的汽车电子系统中,例如车载充电器和电动车辆的功率管理系统中,该器件也得到了广泛应用。

替代型号

1N5817, 1N5818, SB140, BAT54

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