类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：15A
　　最大漏源电压（VDS）：60V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：最大25mΩ（在VGS=10V时）
　　功耗（PD）：80W
　　封装形式：TO-220AB
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C

2SK2074 具有以下显著特性：
　　首先，其低导通电阻（Rds(on)）使其在高电流应用中具有更低的功率损耗，从而提高整体系统效率。
　　其次，该器件支持较高的栅源电压（±20V），允许使用较高的驱动电压以实现更快的开关速度，降低开关损耗。
　　此外，采用TO-220AB封装形式，具有良好的散热性能，适合高功率密度设计。
　　该MOSFET还具备较高的耐用性和可靠性，能够在严苛的环境条件下稳定工作，适用于工业控制、汽车电子和电源管理等领域。
　　最后，其高频特性使其适用于现代开关电源中的高频变换器，从而减小变压器和滤波电感的尺寸，提升系统集成度。

2SK2074 主要应用于以下场景：
　　1. 高频开关电源和DC-DC转换器中作为主开关元件，因其低导通电阻和高效率，非常适合用于降压、升压及反相转换器拓扑。
　　2. 在电机控制和驱动电路中，作为功率开关用于控制直流电机或步进电机的运行。
　　3. 电池管理系统中的负载开关，用于控制高电流电池回路的通断，提升系统的安全性和效率。
　　4. 在LED驱动电源、电源适配器和UPS不间断电源中也有广泛应用。
　　5. 汽车电子系统如车载充电器、电动助力转向系统（EPS）等场合，因其良好的热稳定性和高可靠性，受到广泛欢迎。

SiHF15N60C、2SK2140、IRFZ44N、FDPF15N60、TPH1R406ND