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2SK2071-01L 发布时间 时间:2025/8/9 18:26:49 查看 阅读:33

2SK2071-01L是一款由东芝(Toshiba)制造的N沟道增强型MOSFET,适用于高频开关应用。这款MOSFET具有低导通电阻和高速开关特性,适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关和电机控制等应用。2SK2071-01L采用先进的制造工艺,确保在高频率工作条件下具有优异的性能。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏极电流(ID):5A
  最大漏源电压(VDS):30V
  最大栅源电压(VGS):20V
  导通电阻(RDS(ON)):60mΩ(典型值)
  栅极电荷(Qg):12nC
  工作温度范围:-55°C至150°C
  封装类型:SOT-23

特性

2SK2071-01L MOSFET的主要特性之一是其低导通电阻,这有助于减少导通状态下的功率损耗,提高整体系统效率。该器件在高频操作中表现出色,适用于需要快速开关的应用场景。其高速开关能力有助于减少开关损耗,并允许在高频率下运行,适用于DC-DC转换器和电机控制应用。
  此外,2SK2071-01L具有较高的热稳定性,能够在较高的温度条件下正常工作。其SOT-23封装提供了良好的散热性能,同时保持了小型化设计,适合在空间受限的电路中使用。栅极驱动电压范围较宽,通常在4.5V至10V之间,使其能够兼容多种驱动电路设计。

应用

2SK2071-01L MOSFET适用于多种电子设备和系统,包括DC-DC转换器、电源管理系统、负载开关、电机控制器和电池供电设备。它也可用于功率放大器、LED驱动电路和工业自动化控制电路中。由于其高频特性,该器件在开关电源和节能照明系统中表现出色。

替代型号

2SK2071-01L的替代型号包括2SK2071-01、2SK2071-02L、Si2302DS、IRLML2402

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