型号：2SK2045
　　极性：N沟道
　　漏源电压VDS：900V
　　栅源电压VGS：±30V
　　连续漏极电流ID：3.5A
　　脉冲漏极电流IDM：14A
　　功耗PD：50W
　　导通电阻RDS(on)：典型值3.2Ω（最大值4.5Ω）
　　阈值电压Vth：典型值4.0V（范围3.0~5.0V）
　　输入电容Ciss：典型值1000pF
　　输出电容Coss：典型值280pF
　　反向传输电容Crss：典型值40pF
　　二极管正向电流IS：3.5A
　　工作结温范围Tj：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围Tstg：-55℃ ~ +150℃
　　封装类型：TO-220/TO-220F

2SK2045具备多项优异的电气与物理特性，使其在高压功率开关应用中表现出色。首先，其高达900V的漏源击穿电压（VDS）使其非常适合用于高电压环境下的开关操作，例如离线式开关电源（SMPS）、AC-DC转换器以及高压LED驱动电路等场景。在此电压等级下，器件仍能维持较低的导通电阻（RDS(on)典型值为3.2Ω），从而显著降低导通损耗，提高系统能效。同时，该MOSFET采用了优化的硅芯片设计，确保了在高温条件下仍能保持稳定的电气性能，避免因温升导致的性能下降或热失控现象。
　　其次，2SK2045具有良好的开关特性，其输入电容（Ciss）和反向传输电容（Crss）经过精心设计，在高频开关应用中可实现快速的开关响应速度，减少开关延迟时间与过渡损耗。这对于提升电源系统的整体转换效率至关重要，尤其是在工作频率较高的DC-DC变换器或逆变器中表现尤为明显。此外，较低的栅极电荷（Qg）意味着驱动电路所需提供的能量更少，进而降低了驱动损耗，并允许使用更为简单的栅极驱动方案，简化了电路设计复杂度。
　　再者，该器件内置的体二极管具有较高的反向恢复能力，能够在感性负载切换过程中提供有效的续流路径，防止电压尖峰对器件造成损害。结合其14A的脉冲漏极电流能力，使得2SK2045在应对瞬态过载或启动冲击电流时具备较强的耐受力。此外，TO-220封装不仅提供了良好的机械强度，还具备优良的散热性能，可通过外接散热片进一步增强热管理能力，保障长时间高负荷运行下的可靠性。
　　最后，2SK2045符合多项国际安全与环保标准，包括RoHS指令要求，适用于绿色环保电子产品设计。其坚固的结构设计也增强了抗振动与抗冲击能力，适合在工业与户外环境中长期稳定运行。综上所述，2SK2045凭借其高耐压、低损耗、优开关特性及高可靠性，成为众多高压功率应用中的理想选择。

2SK2045广泛应用于多种需要高压、高效率功率控制的电子系统中。最常见的用途之一是作为主开关器件在离线式反激或正激拓扑结构的开关电源（SMPS）中，特别是在电视、显示器、打印机等消费类电子产品的电源适配器中发挥关键作用。其900V的耐压能力足以应对全球通用交流输入电压范围（85V~265V AC）整流后的高压直流母线，确保系统在各种电网条件下都能安全运行。
　　此外，该器件也被广泛用于DC-DC升压或降压转换器中，尤其是在工业自动化设备、医疗仪器和通信基站等对电源效率和稳定性要求较高的场合。在这些应用中，2SK2045以其低导通电阻和快速开关特性帮助实现了高效的能量转换，减少了热量产生，提高了系统整体可靠性。
　　另一个重要应用领域是电机驱动电路，尤其是小功率交流或直流电机的控制模块。2SK2045可用于H桥或半桥拓扑中的低端或高端开关，实现对电机启停、方向和速度的精确控制。由于其具备较强的抗浪涌电流能力和良好的热稳定性，即使在频繁启停或重载条件下也能保持稳定工作。
　　除此之外，2SK2045还可用于LED照明驱动电源、高压静电发生器、逆变焊机、UPS不间断电源以及太阳能微逆变器等新兴节能技术领域。在这些应用中，器件的高效率、高耐压和高可靠性特点得到了充分发挥。值得一提的是，由于其封装便于安装散热片，因此特别适合那些无法采用表面贴装但又需要较强散热能力的应用场景。
　　总体而言，2SK2045凭借其宽泛的应用适应性和成熟的技术性能，已成为高压功率MOSFET市场中的主流型号之一，持续服务于多个行业的电源管理系统设计。

2SK2046, 2SK2545, 2SK2640, STP9NK90ZFP, 2SK3567