类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电压（VDSS）：60V
　　最大漏极电流（ID）：30A
　　导通电阻（Rds(on)）：最大值28mΩ（@VGS=10V）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：1.0V至2.5V
　　最大功耗（PD）：100W
　　封装类型：TO-220

2SK2029-01(LS) 采用了先进的沟槽式MOSFET技术，有效降低了导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通损耗，提高了整体效率。此外，其高开关速度特性使得该器件在高频应用中表现出色，适用于需要快速切换的电源拓扑结构。器件的栅极阈值电压较低，通常在1.0V至2.5V之间，使得其在低压控制电路中也能可靠工作。TO-220封装形式具备良好的散热性能，能够有效应对高功率应用场景中的热管理挑战。
　　该MOSFET还具有良好的热稳定性和抗过载能力，能够在较高温度环境下稳定运行。此外，其设计优化了寄生电容，降低了开关损耗，从而进一步提高了系统效率。由于其高性能和可靠性，2SK2029-01(LS) 在工业电源、电动车充电系统和服务器电源等应用中被广泛采用。

2SK2029-01(LS) 广泛应用于各类高频电源和功率转换设备中。常见的应用场景包括DC-DC转换器、开关电源（SMPS）、电动车充电系统、工业自动化设备电源模块、服务器电源以及LED照明驱动电路。由于其低导通电阻和高开关速度的特点，该器件特别适合用于需要高效能和高功率密度设计的场合。在电源管理领域，2SK2029-01(LS) 能够有效提升系统效率，减少能量损耗，同时缩小电源模块的体积，适用于紧凑型设计需求。

2SK3084, 2SK3564, IRFZ44N