2SK2028-01MR 时间：2025/8/9 17:19:40 阅读：25

2SK2028-01MR 是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道MOSFET晶体管，适用于高频开关和功率放大应用。该器件采用小型表面贴装封装，具有低导通电阻和高开关速度，适合用于电源管理、DC-DC转换器以及射频（RF）放大器等场景。2SK2028-01MR 的设计使其能够在高频率下保持良好的效率和稳定性，是许多现代电子设备中的关键组件。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：100mA
　　最大漏源电压（VDS）：50V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on))：2.5Ω @ VGS=10V
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-323（SC-70）
　　功率耗散：200mW
　　增益带宽：100MHz

特性

2SK2028-01MR 具有低导通电阻，这有助于减少在高电流应用中的功率损耗，提高整体系统效率。其高开关速度使其适用于高频应用，如DC-DC转换器和RF放大器。此外，该MOSFET具有良好的热稳定性和可靠性，能够在较宽的温度范围内正常工作。该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持±20V的最大栅源电压，这提高了其在不同应用中的适应性。由于其SOT-323封装形式，该器件适合表面贴装技术（SMT），有助于提高生产效率并减少PCB空间占用。
　　该晶体管还具有较低的输入电容，这有助于降低高频开关应用中的驱动损耗。同时，其漏极-源极之间的击穿电压（VDS）为50V，使其能够在较高的电压下工作，适用于多种电源管理和信号放大场景。2SK2028-01MR 在设计上优化了跨导（gm），确保了在高频下的稳定增益性能。

应用

2SK2028-01MR 广泛应用于高频电子设备中，例如无线通信模块、RF放大器、低噪声前置放大器等。在电源管理方面，该器件可用于小型DC-DC转换器、负载开关以及电池管理系统。此外，它也可用于音频放大器的偏置电路、信号开关和低功率模拟开关电路中。由于其高频特性和低功耗特性，该MOSFET非常适合用于便携式电子设备，如智能手机、无线耳机、平板电脑等。在工业控制领域，该器件可用于传感器接口电路、数据采集系统以及小型电机控制电路。