时间：2025/9/14 17:53:15
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PBSS4360PASX是一款由Nexperia（安世半导体）生产的高性能N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的Trench肖特基技术，具有低导通电阻、高开关速度和优异的热稳定性。该器件主要针对高效率电源转换和负载开关应用设计，广泛用于DC-DC转换器、电源管理模块和电池供电系统。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(VDS)：60V
栅源电压(VGS)：±20V
连续漏极电流(ID)：10A
导通电阻(RDS(on))：最大60mΩ（在VGS=10V）
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：TSSOP14
PBSS4360PASX MOSFET采用了先进的Trench肖特基技术，显著降低了导通电阻（RDS(on)），从而减少了导通损耗并提高了能效。其60V的漏源电压使其适用于多种中高压应用。该器件具有良好的热稳定性和高电流承受能力，适合在高负载条件下工作。此外，PBSS4360PASX的封装设计提供了良好的散热性能，使其能够在高功率密度环境下稳定运行。其高栅极电压容限（±20V）也增强了在不同工作条件下的可靠性。
此外，该MOSFET具备快速开关特性，能够有效降低开关损耗，提高电源转换效率。适用于高频开关电源、同步整流、电机控制以及电池管理系统等场景。其TSSOP14封装形式也便于在紧凑型PCB设计中使用，符合现代电子设备小型化的发展趋势。
PBSS4360PASX广泛应用于多种电源管理与功率控制领域，包括但不限于DC-DC转换器、负载开关、电池充电与管理系统、电机驱动电路以及工业自动化控制系统。此外，该器件也非常适用于便携式电子设备和汽车电子系统中的高效能电源设计。
SiSS4360N-T1-GE3, FDS4360B, AO4360
