2SK2021 时间：2025/8/9 13:09:35 阅读：28

2SK2021是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道功率MOSFET，常用于高频率开关应用。这款MOSFET专为高效能和低导通电阻设计，适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制以及各种高功率电子设备中。其封装形式通常为TO-220，具备良好的散热性能，适用于各种工业和消费类应用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：150V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）：15A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.065Ω（最大值）
　　耗散功率（Pd）：100W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-220

特性

2SK2021具有低导通电阻（Rds(on)），这有助于降低功率损耗，提高系统效率。其高电流承载能力使其适用于高功率应用，例如电机驱动和电源转换。此外，该器件具备良好的热稳定性，能够在较高温度下稳定运行，适合在严苛环境中使用。
　　该MOSFET支持高速开关操作，适用于高频DC-DC转换器和开关电源（SMPS）设计。其TO-220封装提供了良好的散热能力，确保在高负载条件下仍能保持较低的温度上升。此外，该器件具备较高的耐用性和可靠性，适合长期运行的应用场景。
　　由于其良好的电气特性和热性能，2SK2021在工业自动化、电源管理、电动车控制器和消费类电子产品中得到了广泛应用。其高耐压和高电流能力也使其成为功率放大器和其他高功率电路的理想选择。

应用

2SK2021广泛应用于各种高功率电子设备中，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机控制器、功率放大器、电池管理系统、工业自动化设备以及电动车控制器等。其低导通电阻和高电流能力使其成为高效能功率转换应用的首选器件。此外，该MOSFET还可用于音频功率放大器和电源管理系统，以提升整体系统的效率和稳定性。