类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏极-源极电压（Vds）：900V
　　栅极-源极电压（Vgs）：±30V
　　连续漏极电流（Id）：5.0A
　　功耗（Pd）：80W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　导通电阻（Rds(on)）：约0.85Ω（典型值）
　　栅极电荷（Qg）：约42nC
　　输入电容（Ciss）：约1100pF
　　漏极-源极击穿电压（BVdss）：900V

2SK2019-01具备多项优异特性，首先是其高达900V的漏极-源极电压（Vds），使其适用于高压应用环境，例如高压电源和工业控制系统。其次，其导通电阻（Rds(on)）较低，典型值约为0.85Ω，从而降低了导通损耗，提高了整体能效。此外，该MOSFET的栅极电荷（Qg）为42nC，输入电容（Ciss）为1100pF，这使得其在高频开关应用中表现优异，能够实现快速开关动作，减少开关损耗。
　　 该器件采用TO-220封装，具备良好的散热性能，能够在高功率条件下稳定运行。其最大功耗为80W，适用于需要持续高电流工作的场合。工作温度范围为-55°C至+150°C，具备良好的热稳定性，能够在恶劣环境条件下正常运行。
　　 另外，2SK2019-01的栅极-源极电压（Vgs）为±30V，提供了较大的驱动电压范围，便于与各种驱动电路兼容。其漏极-源极击穿电压（BVdss）为900V，确保在高压环境下仍能保持稳定工作。此外，其低阈值电压（Vgs(th)）允许使用较低的驱动电压，进一步简化了驱动电路设计。

2SK2019-01广泛应用于多种电源管理与功率控制领域。首先，它适用于开关电源（SMPS），如AC-DC适配器、服务器电源和工业电源模块，其高耐压和低导通电阻特性有助于提高电源转换效率。其次，该MOSFET可用于DC-DC转换器，例如升压（Boost）和降压（Buck）电路，支持高效能的电压调节系统。
　　 在电机控制领域，2SK2019-01可作为H桥电路中的功率开关，适用于小型电机驱动、电动工具和工业自动化设备。此外，它也适用于负载开关和继电器替代方案，能够提供快速、可靠的开关操作，适用于高电压负载的控制。
　　 在照明应用中，2SK2019-01可用于LED驱动电路，特别是高压LED模块和智能照明控制系统。此外，该器件还可用于逆变器、不间断电源（UPS）以及各种高电压、中等功率的电子设备中。

2SK2018-01, 2SK2020-01, 2SK1530-01