型号：2SK2004-01L,S
　　制造商：Toshiba
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：5.7A（@TC=75°C）
　　脉冲漏极电流（IDM）：23A
　　最大功耗（PD）：1.5W（@TC=25°C）
　　导通电阻（RDS(on)）：27mΩ（@VGS=10V, ID=2.8A）
　　导通电阻（RDS(on)）：35mΩ（@VGS=4.5V, ID=2.8A）
　　阈值电压（Vth）：1.0V ~ 2.0V
　　输入电容（Ciss）：500pF（@VDS=15V）
　　输出电容（Coss）：190pF（@VDS=15V）
　　反向传输电容（Crss）：60pF（@VDS=15V）
　　开启延迟时间（td(on)）：10ns
　　关断延迟时间（td(off)）：25ns
　　上升时间（tr）：15ns
　　下降时间（tf）：10ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：S-Mini (USP6B06)

2SK2004-01L,S具有出色的低导通电阻特性，这使其在大电流负载下仍能保持较低的功率损耗，从而提高整体系统效率。该MOSFET在VGS=4.5V时RDS(on)仅为35mΩ，表明其能够在低电压驱动条件下实现高效的导通状态，非常适合使用3.3V或5V逻辑信号直接控制的应用场景，无需额外的电平转换或驱动电路，简化了设计复杂度并降低了成本。器件的开关速度快，得益于较小的栅极电荷（Qg）和低输入/输出电容，能够显著减少开关过程中的延迟时间和能量损耗，特别适用于高频开关电源和同步整流电路。
　　该MOSFET采用东芝先进的沟槽结构工艺制造，提升了载流子迁移率和单位面积的导电能力，从而实现了更高的电流密度和更优的热性能。其S-Mini封装不仅体积小巧，便于在高密度PCB上布局，而且通过优化引脚设计和内部连接方式，有效降低了寄生电感和电阻，进一步提升了高频工作的稳定性。此外，该封装具备良好的散热性能，配合适当的PCB铜箔设计可有效传导热量，延长器件寿命。
　　2SK2004-01L,S的工作温度范围宽，从-55°C到+150°C，确保其在极端环境条件下依然稳定运行，适用于工业级和消费类多种应用场景。其栅极氧化层经过严格工艺控制，具备较高的耐压能力，可承受±20V的栅源电压，防止因误操作或瞬态干扰导致的损坏。同时，该器件具有较低的阈值电压，保证了在低温环境下也能正常开启，避免冷启动失败的问题。内置体二极管具有较快的反向恢复特性，适用于需要续流功能的拓扑结构，如H桥电机驱动或同步降压变换器。

2SK2004-01L,S主要用于需要高效能、小尺寸和快速开关响应的电源管理系统中。典型应用包括便携式电子设备中的DC-DC升压或降压转换器，例如智能手机、平板电脑和可穿戴设备的电源模块。在这些应用中，该MOSFET作为主开关或同步整流开关使用，能够显著提升转换效率并延长电池续航时间。此外，它也常用于锂电池保护电路中，作为充放电通路的控制开关，利用其低导通电阻减少发热，提高安全性。
　　在电机驱动领域，尤其是微型直流电机或步进电机的H桥驱动电路中，2SK2004-01L,S因其快速的开关能力和良好的热稳定性而被广泛采用。它可以有效地控制电机正反转及调速，同时降低功耗和电磁干扰。该器件还适用于LED背光驱动电路，特别是在需要恒流控制的小型显示屏中，作为开关元件实现精确的亮度调节。
　　其他应用还包括USB电源开关、热插拔控制器、电源多路复用器以及各种负载开关电路。在这些场合中，2SK2004-01L,S凭借其低静态功耗和高可靠性，能够实现对负载的快速接通与切断，防止浪涌电流冲击系统电源。此外，由于其封装尺寸小，也非常适合用于空间受限的模块化设计，如无线耳机充电仓、智能手表主板等高集成度产品中。

TPSMB30A,TSM2004NL,SI2304DDS