IXTA52P10P是一款由Littelfuse(原IXYS公司)生产的P沟道增强型功率MOSFET,广泛用于电源管理、负载开关、DC-DC转换器等高功率应用场合。该器件采用TO-220AB封装,具备较高的电流承载能力和较低的导通电阻,适用于需要高可靠性和高效能的工业和汽车电子系统。
类型:P沟道MOSFET
漏源电压(VDS):100V
栅源电压(VGS):±20V
连续漏极电流(ID):52A
导通电阻(RDS(on)):13mΩ @ VGS = 10V
功率耗散(PD):160W
工作温度范围:-55°C ~ 175°C
封装类型:TO-220AB
IXTA52P10P的主要特性之一是其低导通电阻,仅为13mΩ,这使得在高电流应用中能够显著降低导通损耗,提高系统效率。该器件支持高达52A的连续漏极电流,适用于大功率负载控制。此外,其最大漏源电压为100V,允许在中高压电源系统中使用,例如12V至48V的直流电源架构。
该MOSFET的栅极驱动电压为10V时即可实现完全导通,具备良好的开关性能,适用于高频开关应用。其TO-220AB封装结构提供了良好的散热性能,适合在高功率密度设计中使用。同时,该器件具备较强的抗雪崩能力,提高了在高能瞬态条件下的可靠性。
IXTA52P10P的热阻(RθJC)约为0.78°C/W,表明其在高功耗工作状态下仍能保持较低的结温,延长器件使用寿命。其栅极电荷(Qg)典型值为93nC,支持快速开关动作,从而降低开关损耗。此外,该器件符合RoHS环保标准,适用于对环境要求较高的工业和汽车应用。
IXTA52P10P广泛应用于多种功率电子系统中,特别是在需要高电流和高可靠性的场合。例如,在工业电源系统中,它可作为DC-DC转换器的同步整流器或负载开关,以实现高效的能量传输和管理。在电池管理系统(BMS)中,可用于电池充放电路径的控制,防止反向电流流动,提高系统安全性。
在汽车电子领域,该器件适用于车载电源分配系统、电机驱动器和车身控制模块等应用。由于其具备良好的热稳定性和抗冲击能力,特别适合在恶劣的汽车环境中使用。此外,IXTA52P10P也可用于UPS(不间断电源)、服务器电源和工业自动化控制系统中的功率开关单元。
在电机控制应用中,该MOSFET可以作为H桥电路的一部分,用于直流电机或步进电机的驱动控制。其低导通电阻和高电流能力有助于降低功耗,提升电机效率。同时,在电源管理系统中,该器件可用于构建高效率的同步整流电路,提高整体系统能效。
IRF9540NPBF, IXTA62P10P, IXTA50P10P