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IXTA52P10P 发布时间 时间:2025/8/6 9:48:42 查看 阅读:37

IXTA52P10P是一款由Littelfuse(原IXYS公司)生产的P沟道增强型功率MOSFET,广泛用于电源管理、负载开关、DC-DC转换器等高功率应用场合。该器件采用TO-220AB封装,具备较高的电流承载能力和较低的导通电阻,适用于需要高可靠性和高效能的工业和汽车电子系统。

参数

类型:P沟道MOSFET
  漏源电压(VDS):100V
  栅源电压(VGS):±20V
  连续漏极电流(ID):52A
  导通电阻(RDS(on)):13mΩ @ VGS = 10V
  功率耗散(PD):160W
  工作温度范围:-55°C ~ 175°C
  封装类型:TO-220AB

特性

IXTA52P10P的主要特性之一是其低导通电阻,仅为13mΩ,这使得在高电流应用中能够显著降低导通损耗,提高系统效率。该器件支持高达52A的连续漏极电流,适用于大功率负载控制。此外,其最大漏源电压为100V,允许在中高压电源系统中使用,例如12V至48V的直流电源架构。
  该MOSFET的栅极驱动电压为10V时即可实现完全导通,具备良好的开关性能,适用于高频开关应用。其TO-220AB封装结构提供了良好的散热性能,适合在高功率密度设计中使用。同时,该器件具备较强的抗雪崩能力,提高了在高能瞬态条件下的可靠性。
  IXTA52P10P的热阻(RθJC)约为0.78°C/W,表明其在高功耗工作状态下仍能保持较低的结温,延长器件使用寿命。其栅极电荷(Qg)典型值为93nC,支持快速开关动作,从而降低开关损耗。此外,该器件符合RoHS环保标准,适用于对环境要求较高的工业和汽车应用。

应用

IXTA52P10P广泛应用于多种功率电子系统中,特别是在需要高电流和高可靠性的场合。例如,在工业电源系统中,它可作为DC-DC转换器的同步整流器或负载开关,以实现高效的能量传输和管理。在电池管理系统(BMS)中,可用于电池充放电路径的控制,防止反向电流流动,提高系统安全性。
  在汽车电子领域,该器件适用于车载电源分配系统、电机驱动器和车身控制模块等应用。由于其具备良好的热稳定性和抗冲击能力,特别适合在恶劣的汽车环境中使用。此外,IXTA52P10P也可用于UPS(不间断电源)、服务器电源和工业自动化控制系统中的功率开关单元。
  在电机控制应用中,该MOSFET可以作为H桥电路的一部分,用于直流电机或步进电机的驱动控制。其低导通电阻和高电流能力有助于降低功耗,提升电机效率。同时,在电源管理系统中,该器件可用于构建高效率的同步整流电路,提高整体系统能效。

替代型号

IRF9540NPBF, IXTA62P10P, IXTA50P10P

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IXTA52P10P参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列PolarP™
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C52A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C50 毫欧 @ 500mA,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs60nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2845pF @ 25V
  • 功率 - 最大300W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装TO-263
  • 包装管件