2SK1986 时间：2025/8/9 15:39:50 阅读：23

2SK1986是一种N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高电压和高功率应用。该器件采用TO-220封装，具有低导通电阻、高耐压能力以及良好的热稳定性。它广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动和开关电源等电子系统中。由于其高效率和紧凑的封装，2SK1986在设计中能够减少整体尺寸并提高系统可靠性。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电压（Vds）：600V
　　最大漏极电流（Id）：12A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.45Ω
　　最大功率耗散（Pd）：80W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：2V至4V
　　漏极电容（Coss）：约800pF
　　封装形式：TO-220

特性

2SK1986的主要特性之一是其高耐压能力，漏极与源极之间的最大电压可达600V，这使得它适用于高压电源转换器和工业控制设备。此外，该器件具有较低的导通电阻（Rds(on)）为0.45Ω，有助于降低导通损耗并提高系统效率。这种低Rds(on)特性在高电流应用中尤为重要，因为它可以减少发热并提高整体稳定性。
　　另一个关键特性是其封装形式为TO-220，这种封装提供了良好的散热性能，并且易于安装在散热片上，从而进一步增强器件的热管理能力。TO-220封装也广泛用于工业应用中，因此2SK1986可以轻松替换或集成到现有设计中。
　　2SK1986的栅极阈值电压范围为2V至4V，这使得它可以与多种控制电路兼容，包括常见的微控制器输出。漏极电容（Coss）约为800pF，这一参数对开关性能和高频应用至关重要，因为它影响了器件的开关速度和损耗。在高频开关应用中，较低的电容有助于减少开关损耗并提高效率。
　　此外，该器件的最大漏极电流为12A，适用于多种中高功率应用。最大功率耗散为80W，表明其在高温环境下仍能保持较高的工作性能。工作温度范围从-55°C到150°C，使得2SK1986可以在恶劣的环境条件下稳定运行。

应用

2SK1986主要用于高压和高功率应用场景，例如开关电源（SMPS）中的功率开关器件，用于调节和转换电压。它也常用于DC-DC转换器中，以实现高效的电压调节和能量传输。在电机驱动电路中，2SK1986可用于控制电机的开关状态，提供高效的功率输出并减少能量损耗。此外，它还广泛应用于逆变器和UPS（不间断电源）系统中，以确保稳定和高效的电力转换。在工业控制设备中，如自动化系统和变频器中，2SK1986可以用于高电压开关和负载管理。