2SK1986-01 是一款由东芝(Toshiba)制造的N沟道增强型功率MOSFET,常用于高频电源转换器、DC-DC转换器和开关电源等应用中。该器件具有低导通电阻、高频响应和优良的热稳定性,适合于需要高效能和高可靠性的电源系统。
类型:N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds):250V
最大栅源电压(Vgs):±30V
最大漏极电流(Id):8A(连续)
导通电阻(Rds(on)):约0.3Ω(典型值)
最大功耗(Pd):50W
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装形式:TO-220
2SK1986-01 MOSFET具有以下关键特性:
1. 低导通电阻:该器件的Rds(on)典型值约为0.3Ω,有助于降低导通损耗,提高电源转换效率。
2. 高频响应能力:适用于高频开关应用,例如开关电源(SMPS)和DC-DC转换器,确保快速开关动作并减少开关损耗。
3. 热稳定性良好:由于其封装设计和材料选择,该MOSFET在高负载下仍能保持良好的热性能,减少过热风险。
4. 高耐压能力:最大漏源电压为250V,使其适用于中高功率应用,如工业电源和电机驱动。
5. 高可靠性:东芝制造工艺确保该器件在严苛环境中仍能稳定运行,适合工业和汽车电子领域。
6. TO-220封装便于安装和散热管理,适合通用型功率应用的设计。
2SK1986-01 主要应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS):由于其高频响应能力和低导通电阻,该MOSFET广泛用于各类开关电源系统,如计算机电源、服务器电源和工业电源。
2. DC-DC转换器:在需要高效能量转换的场合,例如电动汽车、太阳能逆变器和电池管理系统中,该器件可作为主开关元件使用。
3. 电机驱动电路:适用于小型电机控制和H桥驱动应用,提供稳定的功率开关功能。
4. 照明系统:用于LED驱动器和高频照明系统,确保高效率和稳定输出。
5. 工业自动化设备:由于其高耐压和良好的热稳定性,该器件可用于工业控制系统的电源管理模块。
6. 电池充电器:适用于多级充电器设计,支持高效能和快速充电功能。
2SK2141, 2SK1318, 2SK1530