时间：2025/8/9 17:00:58
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2SK1969 是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道功率场效应晶体管（MOSFET），主要用于高效率功率放大器和音频放大器等应用。该器件具备低导通电阻、高功率处理能力和良好的高频特性，适用于音频设备、电源转换器和射频（RF）放大器等高要求的电子系统。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：15A
最大漏源电压（VDS）：60V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(ON)）：约0.045Ω
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TO-220
2SK1969 MOSFET具有多项出色的电气特性，使其在高功率音频放大器设计中备受青睐。首先，其低导通电阻（RDS(ON)）确保了在高电流工作条件下仍能保持较低的功率损耗，从而提高了系统的整体效率。此外，该器件能够承受高达60V的漏源电压，支持在中高功率应用场景中稳定运行。
该MOSFET的高栅源电压容限（±20V）增强了其在复杂电路环境中的可靠性，降低了因栅极电压波动而导致损坏的风险。同时，2SK1969采用TO-220封装形式，便于散热管理，适合在高功率密度设计中使用，例如线性电源、功率放大器和开关电源。
在音频放大器应用中，2SK1969因其低失真和良好的高频响应特性而广泛使用，能够提供清晰、高保真的音频输出。其快速开关特性也使其适用于开关模式电源（SMPS）和DC-DC转换器等应用。
2SK1969主要应用于高保真音频功率放大器、电源转换器、DC-DC升压/降压模块、高频功率放大器以及工业控制设备中的功率开关电路。由于其优异的音频性能，该器件常被用于高端音响系统和专业音频设备。
2SK2141, 2SK2313, IRFZ44N
