时间：2025/8/9 5:22:35
阅读：13
2SK1946-01M(MR) 是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道功率MOSFET晶体管，主要用于高频功率放大器和电源管理应用。该器件采用先进的工艺制造，具备高效率、高可靠性以及低导通电阻等优点。其封装形式为表面贴装（SMD），适合在紧凑型电子设备中使用，例如DC-DC转换器、电机控制器、电源开关和电池管理系统等领域。
类型：N沟道
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：20V
漏极电流（Id）：120A（最大）
导通电阻（Rds(on)）：4.5mΩ（最大）
功耗（Pd）：120W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：SMP（表面贴装）
2SK1946-01M(MR) MOSFET具备多项优异的电气和热性能，首先其低导通电阻（Rds(on)）能够有效降低导通损耗，提高整体效率，适合高功率密度设计。其次，该器件采用了先进的沟槽栅极技术，使其在高频开关应用中表现优异，减少了开关损耗。
此外，2SK1946-01M(MR)的封装设计优化了散热性能，确保在高电流工作条件下依然保持稳定的温度控制。其SMP封装形式也适用于自动化贴片生产流程，提高生产效率并节省PCB空间。
该MOSFET还具备较高的短路耐受能力和过载保护特性，确保在异常工况下器件不易损坏，从而提升了系统的可靠性和使用寿命。
2SK1946-01M(MR)广泛应用于多种高功率电子系统中，特别是在需要高效率和小体积设计的场合。例如，它被广泛用于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动器以及工业自动化设备中的功率控制模块。
由于其出色的高频性能，该器件也非常适合用于开关电源（SMPS）中的主开关或同步整流部分，从而提升电源的整体效率。在电动车和储能系统中，该MOSFET可用于电池充放电管理电路，提供高效可靠的功率控制解决方案。
此外，2SK1946-01M(MR)在音频功率放大器、LED照明驱动电路和家用电器的电机控制中也有一定的应用，满足多样化电子设备对功率器件的需求。
SiR142DP-T1-GE3, IPB013N04LC G, AO4407A
