型号：2SK1937
　　制造商：Toshiba
　　晶体管类型：N沟道
　　最大漏源电压（Vds）：60V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：3A（@Ta=25℃）
　　脉冲漏极电流（Idm）：12A
　　导通电阻（Rds(on)）：55mΩ（@Vgs=10V, Id=2A）
　　阈值电压（Vth）：1.0V ~ 2.5V
　　输入电容（Ciss）：400pF（@Vds=10V, f=1MHz）
　　输出电容（Coss）：100pF（@Vds=10V, f=1MHz）
　　反向传输电容（Crss）：40pF（@Vds=10V, f=1MHz）
　　开启延迟时间（td(on)）：10ns
　　关断延迟时间（td(off)）：25ns
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装类型：SOT-89

2SK1937具备多项关键特性，使其在众多同类产品中脱颖而出。首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通状态下的功率损耗，这对于提高电源转换效率至关重要。在实际应用中，尤其是在大电流负载条件下，低Rds(on)意味着更少的发热和更高的能效表现。这一特性使得2SK1937非常适合用于便携式设备中的DC-DC降压或升压电路，有助于延长电池续航时间。
　　其次，该器件拥有快速的开关响应能力。其开启延迟时间和关断延迟时间分别仅为10ns和25ns，表明其在高频开关环境下仍能保持出色的动态性能。这种高速开关特性有效减少了开关过程中的交越损耗，进一步提升了系统效率，并支持更高频率的工作模式，有利于减小外围无源元件（如电感和电容）的尺寸，从而实现更紧凑的电路设计。
　　第三，2SK1937采用了SOT-89小型化表面贴装封装，具有良好的散热性能和机械稳定性。尽管体积小巧，但其封装结构能够有效传导热量，确保在较高功率密度下也能维持稳定工作。同时，该封装符合现代自动化贴片生产工艺要求，适用于大规模批量生产。
　　此外，该MOSFET具备较宽的安全工作区（SOA），可在多种负载条件下可靠运行。其最大漏源电压为60V，适用于12V、24V乃至48V系统，覆盖了大多数中低压电源应用场景。栅源电压范围达到±20V，提供了足够的驱动裕度，防止因驱动信号波动导致器件损坏。
　　最后，2SK1937还具有较低的输入电容和反向传输电容，这不仅降低了驱动电路的负担，也减少了噪声耦合的可能性，在电磁兼容性（EMC）方面表现良好。综合来看，这些特性共同构成了一个高性能、高可靠性的功率开关解决方案。

2SK1937广泛应用于各类中低功率电子系统中。最常见的用途是作为开关电源中的主控开关器件，例如在AC-DC适配器、手机充电器、笔记本电脑电源模块中担任同步整流或初级侧开关角色。其高效的导通特性和快速的开关响应使其在这些高效率电源拓扑中发挥重要作用。
　　在DC-DC转换器中，无论是降压（Buck）、升压（Boost）还是升降压（Buck-Boost）架构，2SK1937都能胜任上下桥臂的开关任务。特别是在便携式设备如智能手机、平板电脑、移动电源中，对空间和能效的要求极为严格，2SK1937的小型封装和低功耗特性使其成为理想选择。
　　此外，该器件也常用于电机驱动电路，例如微型直流电机、步进电机的H桥驱动模块中，作为功率开关控制电机的启停与方向切换。其稳定的开关行为和较强的电流承载能力保证了电机运行的平稳性。
　　在LED驱动电源中，2SK1937可用于恒流源的开关调节部分，实现精准的亮度控制。其良好的热稳定性和长期可靠性确保了照明系统的持久运行。
　　其他应用还包括电池管理系统的充放电控制、热插拔电路、负载开关以及各种需要高效、小型化功率开关的场合。得益于其通用性强、性能稳定，2SK1937已成为许多工程师在中低压功率设计中的首选之一。

2SK2038,TSM2306C,SI2306DS,RJK03B6DPD