时间：2025/12/24 19:10:22
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2SK192是一种N沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于各种功率电子设备中。该器件具有高开关速度、低导通电阻和较强的热稳定性，适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制、音频放大器等电路设计。2SK192的封装形式通常为TO-220或TO-3P，便于散热和安装。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：500V
最大漏极电流（ID）：9A
导通电阻（RDS(on)）：0.45Ω @ VGS = 10V
栅极电压范围：±30V
最大功耗（PD）：75W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TO-220、TO-3P
2SK192是一款性能稳定的N沟道MOSFET器件，具有较高的电压和电流承受能力。其最大漏源电压为500V，漏极电流可达9A，适用于中高功率应用。该器件的导通电阻较低，在10V栅极电压下仅为0.45Ω，有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，2SK192具备良好的热稳定性和过热保护能力，能够在较高温度环境下稳定工作。
该MOSFET具有较快的开关速度，适用于高频开关电源和DC-DC转换器等应用。其栅极电压范围为±30V，确保在各种驱动条件下正常工作。封装形式为TO-220或TO-3P，便于安装在散热片上，提升散热效率，适用于需要长时间高负载工作的场合。
此外，2SK192具备较强的抗干扰能力和较高的可靠性，适合用于工业控制、电源设备、音频功率放大器等对稳定性和性能要求较高的应用领域。
2SK192广泛应用于各类功率电子设备中，如开关电源、DC-DC转换器、电机驱动器、音频放大器、UPS不间断电源、工业自动化控制电路、LED照明驱动电路等。由于其高耐压、大电流能力和低导通电阻特性，2SK192特别适用于需要高效能和稳定性的电源管理系统。
2SK2140, 2SK1358, IRF840, IRF740
