类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：150mA（连续）
　　最大漏极-源极电压（VDS）：30V
　　最大栅极-源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：约1.2Ω（典型值）
　　阈值电压（VGS(th)）：1.0V至2.5V
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：SOT-23（小型表面贴装封装）

2SK1881-L MOSFET具备多项优良特性，适用于高频开关和低功耗应用。首先，它的低导通电阻（RDS(on)）可以有效降低导通损耗，提高电源转换效率。其次，该器件的最大漏极电流为150mA，能够在小型电子设备中提供可靠的功率控制能力。此外，其最大漏极-源极电压为30V，适用于中低电压范围的电源管理系统。
　　该MOSFET的栅极-源极电压范围为±20V，具有较高的栅极耐压能力，能够承受一定的电压波动，提升系统的稳定性。其阈值电压（VGS(th)）在1.0V至2.5V之间，确保了在不同控制信号下的可靠导通，同时避免了误触发问题。此外，该器件采用了SOT-23封装，体积小巧，适合用于高密度PCB布局。
　　工作温度范围为-55°C至+150°C，使2SK1881-L能够在广泛的环境条件下稳定运行，适用于工业控制、便携式电子设备、通信模块以及消费类电子产品。其热稳定性良好，能够在高温环境下保持性能，减少热失效的风险。

2SK1881-L MOSFET广泛应用于需要高效能、小型化设计的电子系统中。典型应用包括DC-DC转换器、LED驱动电路、负载开关控制、电池管理系统以及便携式设备的电源管理模块。此外，它也适用于逻辑电平驱动的低功耗开关电路，如微控制器外围接口、传感器信号切换和小型电机驱动等场景。在通信设备中，该MOSFET可用于射频功率放大器的偏置控制或电源调节电路，确保设备在高频工作下的稳定性和效率。由于其优异的开关特性和小尺寸封装，2SK1881-L也是智能家电、智能仪表和物联网（IoT）设备中的理想选择。

2SK1880-L, 2SK1882-L, 2N7002, BSS138