2SK1876 时间：2025/8/9 11:38:38 阅读：35

2SK1876是一种N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由东芝公司生产。该晶体管设计用于高频和高功率应用，广泛应用于开关电源、音频放大器和其他需要高效能功率管理的电路中。该器件具有低导通电阻、高耐压和良好的热稳定性等特点，使其在各种电子设备中具有优异的性能表现。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：15A
　　最大漏-源电压（VDS）：60V
　　最大栅-源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(ON)）：0.033Ω（最大值）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：TO-220
　　功率耗散（PD）：75W

特性

2SK1876的主要特性之一是其低导通电阻，这有助于减少导通状态下的功率损耗，提高整体效率。其0.033Ω的最大导通电阻在同类器件中表现优异，适用于高电流应用。此外，该器件的高漏-源击穿电压为60V，使其能够在较高电压环境下稳定运行，适用于多种功率转换电路。
　　另一个重要特性是其封装形式为TO-220，这种封装结构具有良好的散热性能，有助于提高器件的热稳定性和可靠性。TO-220封装还便于安装散热片，以进一步增强散热能力，适用于高功率密度设计。
　　该MOSFET的栅极驱动电压范围为±20V，具有较高的栅极抗干扰能力，能够有效防止因栅极电压波动导致的误导通。其快速开关特性使其适用于高频开关电源和DC-DC转换器等应用，有助于减少开关损耗并提高转换效率。
　　2SK1876还具有良好的热保护性能，能够在高温环境下自动限制电流，防止器件因过热而损坏。这种特性使其在复杂的工作环境中具有更高的可靠性。

应用

2SK1876常用于多种功率电子设备中，例如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机控制器和电池管理系统等。由于其高效率和低导通损耗，它特别适用于需要高电流和高频率操作的电源模块。此外，该器件还广泛应用于音频功率放大器、逆变器和不间断电源（UPS）系统中。
　　在汽车电子领域，2SK1876可用于车载充电器、电动工具和LED照明驱动电路。由于其良好的热稳定性和过载保护能力，它能够在恶劣环境下稳定运行。此外，在工业自动化和控制系统中，该MOSFET也常用于控制电机、继电器和执行器等负载。