2SK1875-V 时间：2025/6/30 15:28:04 阅读：5

2SK1875-V是一种N沟道MOSFET功率晶体管，主要用于高频、高压和高效率的开关应用。该器件采用VMOS技术制造，具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度等特性。广泛应用于电源管理、电机驱动、音频放大器以及各种需要高效能功率控制的场合。
　　该型号属于松下（现为Panasonic）系列功率MOSFET产品线，适用于对效率和可靠性要求较高的设计。

参数

最大漏源电压：600V
　　连续漏极电流：4A
　　栅极阈值电压：3V~6V
　　导通电阻：4.5Ω（典型值，在Vgs=10V时）
　　总功耗：75W
　　工作温度范围：-55℃~175℃

特性

2SK1875-V具备以下显著特点：
　　1. 高耐压能力：能够承受高达600V的漏源电压，非常适合高压环境下的应用。
　　2. 快速开关性能：由于其较低的输入电容和输出电容，可以实现快速的开关动作，减少开关损耗。
　　3. 低导通电阻：在栅极驱动电压为10V时，导通电阻仅为4.5Ω，从而降低了传导损耗。
　　4. 高温稳定性：允许的工作温度范围从-55℃到+175℃，能够在极端环境下稳定运行。
　　5. 小型封装：通常以TO-220或DPAK形式提供，便于散热和PCB布局设计。

应用

2SK1875-V主要应用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）：用于DC-DC转换器和AC-DC适配器中的开关元件。
　　2. 电机驱动：作为逆变器或控制器的一部分，用于驱动直流无刷电机或步进电机。
　　3. 音频功率放大器：用作音频放大电路中的开关元件，提高效率并降低失真。
　　4. 继电器替代：在需要频繁开关负载的应用中，可以用来代替机械继电器，提升可靠性和寿命。
　　5. 工业自动化设备：如可编程逻辑控制器（PLC）、传感器接口和保护电路中的关键组件。