时间：2025/9/7 8:02:28
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HZU36BTRF 是一款由 Renesas Electronics 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率的功率转换和电源管理应用。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）和高电流能力，适合用于 DC-DC 转换器、电机控制、电源开关以及电池管理系统等场景。HZU36BTRF 采用小型化的 TDFN（Thin Dual Flat No-lead）封装，有助于提高 PCB 布局的紧凑性和热性能。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压 Vds：30 V
最大栅源电压 Vgs：±20 V
最大连续漏极电流 Id：80 A
导通电阻 Rds(on)（典型值）：3.6 mΩ（在 Vgs = 10 V）
功耗（Pd）：120 W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装形式：TDFN 5x6 mm
HZU36BTRF MOSFET 的主要特性之一是其极低的导通电阻，这有助于减少导通损耗并提高系统的整体效率。该器件的高电流能力（80A）使其适用于大功率应用，例如电源转换器和电机驱动器。此外，该 MOSFET 具有良好的热性能，TDFN 封装设计有助于提高散热效率，确保在高负载条件下仍能稳定工作。
该器件还具备良好的栅极电荷特性，有助于降低开关损耗，提高高频工作的性能。HZU36BTRF 的栅极驱动电压范围较宽，可在 4.5V 至 20V 之间正常工作，兼容多种栅极驱动器设计。此外，该 MOSFET 内部结构优化，降低了寄生电感，有助于提升开关速度和抗干扰能力。
从制造工艺来看，HZU36BTRF 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，进一步提升了器件的性能和可靠性。其封装符合 RoHS 环保标准，支持无铅焊接工艺，适用于现代电子制造中的绿色生产要求。
HZU36BTRF 主要用于需要高效率和高电流能力的功率电子系统中。常见的应用包括同步整流 DC-DC 转换器、负载开关、电机控制模块、电池管理系统（BMS）以及服务器电源供应器。由于其低导通电阻和优异的热性能，它也适合用于高密度电源模块和嵌入式系统中的功率管理部分。
此外，该 MOSFET 可用于汽车电子系统中的功率控制，例如车载充电器、DC-AC 逆变器和电动助力转向系统。在工业自动化设备中，HZU36BTRF 也可用于驱动继电器、电磁阀和高功率 LED 照明系统。其优异的开关性能使其在高频电源转换应用中表现出色，有助于提高系统效率并减少发热问题。
SiZ882DT, TPC8104, HZU34BTRF
