2SK1869 时间：2025/9/7 14:46:50 阅读：15

2SK1869是一款N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于需要高效率、高电流和高电压控制的电源管理系统。这款MOSFET由东芝（Toshiba）制造，采用TO-220封装，适合用于开关电源、DC-DC转换器以及电机控制等应用。其设计优化了导通电阻和开关损耗，以满足高能效系统的需求。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：200V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　漏极电流（Id）：连续10A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.42Ω（最大值）
　　功率耗散（Pd）：40W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-220

特性

2SK1869具备低导通电阻的特性，这有助于降低功率损耗，提高系统效率。该器件的高耐压特性使其适用于200V的漏源电压环境，适合高电压应用。此外，其连续漏极电流可达10A，能够处理较大的负载电流，满足中高功率系统的需求。
　　该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，支持±30V的输入，使得其在不同的控制电路中具有较好的兼容性。2SK1869还具备良好的热稳定性，能够在较高的工作温度下稳定运行，适应恶劣的工作环境。
　　TO-220封装不仅提供了良好的散热性能，还方便安装在散热片上，提高整体的热管理能力。此外，2SK1869采用了先进的制造工艺，确保了器件的可靠性和长寿命。

应用

2SK1869常用于开关电源（SMPS）中的功率开关元件，适用于AC-DC转换器和DC-DC转换器设计。它也广泛应用于电机控制电路、照明系统、电池充电器以及工业自动化设备等需要高效能MOSFET的场合。
　　在电机控制中，2SK1869可用于H桥电路中的高侧或低侧开关，实现对直流电机的速度和方向控制。此外，该器件还适用于电源管理系统中的负载开关控制，提供高效的电源分配和管理。
　　由于其良好的热性能和高耐压特性，2SK1869也被用于太阳能逆变器、UPS不间断电源以及各种类型的功率放大器中。