时间：2025/12/28 17:00:34
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2SK186 是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高频放大、开关电源、DC-DC转换器和功率控制电路中。这款晶体管以其良好的高频性能和高可靠性著称，广泛应用于通信设备、工业控制、电源管理等领域。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：150mA
最大漏-源电压（VDS）：30V
最大栅-源电压（VGS）：±20V
最大耗散功率（PD）：200mW
工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
封装形式：TO-92
2SK186 MOSFET具有出色的高频响应能力，适合用于射频（RF）和高速开关应用。其低导通电阻（RDS(on)）确保了在导通状态下的低功耗表现，从而提高了系统的整体效率。
该器件采用了先进的制造工艺，具备较高的热稳定性和电气稳定性，能够在较宽的温度范围内可靠工作。此外，2SK186具有较强的抗干扰能力，适用于各种复杂电磁环境中的电子设备。
其封装形式为TO-92，体积小巧，便于安装和散热，适用于高密度PCB布局设计。这款MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，支持灵活的控制策略，同时具备良好的过载和短路保护能力，提升了系统的安全性与稳定性。
2SK186广泛应用于高频放大器、低噪声放大器（LNA）、DC-DC转换器、电源管理模块、便携式电子产品、电池供电设备、工业自动化控制系统以及通信设备中。由于其优异的高频性能，该器件也常用于无线通信模块和射频前端电路中。
2SK246, 2SK170, 2SK30, 2N7000
