时间：2025/6/22 10:48:33
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STGB20M65DF2是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款650V耐压的超级结MOSFET。这款器件采用了先进的超级结技术，具有低导通电阻和高开关速度的特点，非常适合用于高频开关电源、DC-DC转换器、逆变器以及电机驱动等应用。其封装形式为TO-247，便于散热管理，同时支持表面贴装和通孔安装。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：20A
导通电阻：0.13Ω
栅极电荷：85nC
输入电容：1500pF
总电容：25pF
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
STGB20M65DF2具备以下显著特性：
1. 超低导通电阻（Rds(on)），有助于降低传导损耗并提高效率。
2. 高速开关性能，适合高频操作环境。
3. 极低的栅极电荷和输出电荷，优化了动态性能。
4. 强大的热稳定性，在高温条件下仍能保持可靠运行。
5. 符合RoHS标准，环保且安全。
6. 内置ESD保护功能，增强了器件的鲁棒性。
7. 支持高电流负载能力，满足工业级应用需求。
STGB20M65DF2广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）中的功率转换。
2. DC-DC转换器的设计与实现。
3. 工业设备中的电机驱动控制。
4. 太阳能逆变器和储能系统。
5. 电动车充电模块。
6. 各类需要高效功率管理的电子设备。
STGB20N65DF2
IRFP460
FDP18N65
