型号：2SK1840
　　极性：N沟道
　　最大漏源电压（Vds）：500 V
　　最大漏极电流（Id）：7 A
　　最大脉冲漏极电流（Idm）：28 A
　　最大功耗（Ptot）：50 W
　　导通电阻（Rds(on)）：0.65 Ω（典型值，Vgs = 10 V）
　　阈值电压（Vgs(th)）：2.0 ~ 4.0 V
　　栅极电荷（Qg）：30 nC（典型值）
　　输入电容（Ciss）：950 pF（典型值，Vds = 25 V）
　　输出电容（Coss）：190 pF（典型值）
　　反向恢复时间（trr）：未指定（体二极管）
　　工作结温范围（Tj）：-55 °C 至 +150 °C
　　存储温度范围（Tstg）：-55 °C 至 +150 °C
　　封装类型：TO-220

2SK1840具备多项关键特性，使其在众多功率MOSFET中脱颖而出。首先，其高达500V的最大漏源电压使其适用于多种高压应用场景，例如离线式开关电源和AC-DC转换器，能够在市电整流后的高压母线上安全工作。其次，该器件具有相对较低的导通电阻（Rds(on)），典型值仅为0.65Ω，在Vgs=10V条件下可显著降低导通状态下的功率损耗，提升系统能效。这对于需要持续大电流工作的设备尤为重要，比如电机驱动和大功率LED照明系统。
　　另一个显著特点是其优化的开关性能。2SK1840拥有较低的栅极电荷（Qg=30nC）和输入电容（Ciss=950pF），这使得它在高频开关应用中表现出色。低电荷需求意味着驱动电路所需提供的电流更小，从而简化了栅极驱动设计，并减少了动态损耗，提高了整个电源系统的转换效率。同时，快速的开关速度有助于缩小磁性元件体积，实现电源小型化设计。
　　该器件还具备良好的热稳定性与可靠性。采用TO-220封装，具有较大的金属背板，便于安装散热片，有效控制结温上升。其最大功耗可达50W，支持较长时间的高负载运行。此外，2SK1840经过严格测试，具备一定的雪崩耐量能力，能在突发电压尖峰或感性负载切换时提供一定程度的自我保护，增强了系统的鲁棒性。
　　阈值电压范围为2.0V至4.0V，兼容常见的逻辑电平驱动信号，可在微控制器或PWM控制器直接驱动下正常工作，尤其适合数字电源控制系统。尽管其非逻辑电平增强型MOSFET，但在使用10V栅压驱动时仍能完全导通，发挥最佳性能。综合来看，这些特性使2SK1840成为中高功率开关应用中可靠且高效的选择。

2SK1840广泛应用于各类需要高电压、中等电流开关控制的电子设备中。一个典型的应用领域是开关模式电源（SMPS），包括反激式（Flyback）、正激式（Forward）和半桥拓扑结构的AC-DC适配器和电源模块。在这些电路中，2SK1840通常作为主开关管使用，负责将整流后的高压直流电进行高频斩波，通过变压器传输能量，实现电压变换与隔离。其500V的耐压能力足以应对全球通用输入电压范围（85V~265V AC）下的峰值电压要求，同时低导通电阻有助于提高轻载和满载条件下的整体效率。
　　在DC-DC转换器中，尤其是在升压（Boost）和降压-升压（Buck-Boost）拓扑中，2SK1840可用于中等功率级别的电压调节系统。例如，在太阳能充电控制器、车载逆变电源或工业电源系统中，该MOSFET可作为功率开关元件，实现高效的能量转换。其良好的热性能和稳定的电气参数确保在复杂电磁环境中长期稳定运行。
　　此外，2SK1840也常见于电机驱动电路，特别是小功率交流电机或直流电机的控制模块中。在这些应用中，它可用于H桥或单边驱动配置，执行启停、调速等功能。结合适当的栅极驱动IC和保护电路，可以实现精确的PWM调制控制，满足对响应速度和能耗控制的要求。
　　其他应用场景还包括不间断电源（UPS）、逆变器、电子镇流器、电焊机电源以及各种工业自动化设备中的功率接口电路。由于其具备较强的抗干扰能力和较高的可靠性，2SK1840也被用于一些恶劣环境下的嵌入式控制系统中。总体而言，凡是需要在高压环境下实现高效、可靠开关操作的场合，2SK1840都是一个值得考虑的器件选项。

2SK1841, 2SK2030, 2SK2545, FQP50N50, IRFBC40