时间：2025/9/7 16:10:15
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2SK1838S是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于高频开关和功率放大应用。这款晶体管由东芝（Toshiba）生产，适用于需要高效率和高性能的电子电路设计。2SK1838S具有低导通电阻、高电流能力和良好的热稳定性，使其成为电源管理、DC-DC转换器和马达控制等应用的理想选择。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：30A
最大漏源电压（VDS）：60V
最大栅源电压（VGS）：20V
导通电阻（RDS(ON)）：约6.5mΩ（典型值）
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-220
最大功耗（PD）：100W
2SK1838S具备多项高性能特性，包括低导通电阻，可降低功率损耗并提高效率。该器件的高电流能力使其适用于大功率应用，如DC-DC转换器和电机驱动器。此外，2SK1838S具有良好的热稳定性和高耐压性能，有助于在高温环境下保持稳定运行。其TO-220封装提供了良好的散热性能，并确保在高功率条件下的可靠性。这款MOSFET还具有快速开关特性，适用于高频开关应用，如开关电源（SMPS）和逆变器系统。此外，2SK1838S的栅极驱动电压范围较宽，支持多种驱动电路设计。
2SK1838S常用于各种功率电子设备中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、马达控制器、电池管理系统、逆变器以及高效率电源供应器。它还可用于汽车电子系统、工业自动化设备和消费类电子产品中的功率管理模块。在音频放大器设计中，该MOSFET也可作为功率输出器件使用。
2SK2545, 2SK3084, IRFZ44N
