时间：2025/4/29 17:17:15
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DN1SS400T1G 是一款 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用了先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适合用于电源管理、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载开关等应用。DN1SS400T1G 采用 TO-263 封装形式，使其在散热性能和电气连接方面表现出色。
最大漏源电压：400V
连续漏极电流：1.1A
导通电阻（典型值）：1.5Ω
栅极电荷：25nC
开关时间：ton=87ns, toff=39ns
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
DN1SS400T1G 的主要特性包括以下几点：
1. 高耐压能力，可承受高达 400V 的漏源电压，适用于高压环境。
2. 低导通电阻设计，有助于减少功率损耗并提高效率。
3. 快速开关能力，能够满足高频应用的需求。
4. 较低的栅极电荷，减少了驱动电路的能量需求。
5. 采用 TO-263 封装，提供良好的热管理和电气性能。
6. 工作温度范围宽广，适应多种恶劣环境条件。
该器件适用于广泛的电子应用领域，包括但不限于以下：
1. 开关电源（SMPS）中的功率转换。
2. DC-DC 转换器中作为开关元件。
3. 电机驱动中的功率控制。
4. 负载开关以实现快速响应和低功耗。
5. 电池保护电路，确保系统安全运行。
6. 各类工业设备和消费类电子产品中的功率管理解决方案。
STP11NM60S, IRF640N
