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DN1SS400T1G 发布时间 时间:2025/4/29 17:17:15 查看 阅读:8

DN1SS400T1G 是一款 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用了先进的制造工艺,具有较低的导通电阻和较高的开关速度,适合用于电源管理、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载开关等应用。DN1SS400T1G 采用 TO-263 封装形式,使其在散热性能和电气连接方面表现出色。

参数

最大漏源电压:400V
  连续漏极电流:1.1A
  导通电阻(典型值):1.5Ω
  栅极电荷:25nC
  开关时间:ton=87ns, toff=39ns
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃

特性

DN1SS400T1G 的主要特性包括以下几点:
  1. 高耐压能力,可承受高达 400V 的漏源电压,适用于高压环境。
  2. 低导通电阻设计,有助于减少功率损耗并提高效率。
  3. 快速开关能力,能够满足高频应用的需求。
  4. 较低的栅极电荷,减少了驱动电路的能量需求。
  5. 采用 TO-263 封装,提供良好的热管理和电气性能。
  6. 工作温度范围宽广,适应多种恶劣环境条件。

应用

该器件适用于广泛的电子应用领域,包括但不限于以下:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率转换。
  2. DC-DC 转换器中作为开关元件。
  3. 电机驱动中的功率控制。
  4. 负载开关以实现快速响应和低功耗。
  5. 电池保护电路,确保系统安全运行。
  6. 各类工业设备和消费类电子产品中的功率管理解决方案。

替代型号

STP11NM60S, IRF640N

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