型号：2SK1831
　　极性：N沟道
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：4.2A（@ Ta=25°C）
　　脉冲漏极电流（Idm）：12A
　　最大功耗（Pd）：1.25W
　　导通电阻（Rds(on)）：35mΩ（@ Vgs=10V）
　　阈值电压（Vth）：1.0V ~ 2.5V
　　输入电容（Ciss）：600pF（@ Vds=15V）
　　输出电容（Coss）：190pF（@ Vds=15V）
　　反向传输电容（Crss）：50pF（@ Vds=15V）
　　栅极电荷（Qg）：12nC（@ Vgs=10V）
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOT-23

2SK1831具备优异的电气性能与热稳定性，其核心优势在于低导通电阻（Rds(on)）和快速开关能力。该MOSFET采用先进的沟槽式硅基工艺制造，使得在低电压应用场景下能够显著降低导通损耗，提高电源转换效率。其典型的Rds(on)仅为35mΩ，在Vgs=10V条件下可确保大电流通过时发热较小，适用于对能效要求较高的便携式设备和电池供电系统。此外，该器件的输入电容（Ciss）为600pF，输出电容（Coss）为190pF，反向传输电容（Crss）为50pF，这些参数优化了开关速度与EMI之间的平衡，使其在高频开关电源中表现出色。
　　2SK1831的阈值电压范围为1.0V至2.5V，意味着它可以在较低的栅极驱动电压下开启，兼容3.3V或5V逻辑电平控制信号，便于与微控制器、PWM控制器等直接接口，无需额外的电平转换电路。这不仅简化了设计复杂度，还降低了整体系统成本。同时，该MOSFET具有良好的热反馈特性，结温升高时仍能保持稳定的电流承载能力，避免因热失控导致的损坏。
　　该器件支持高达±20V的栅源电压，具备较强的抗过压能力，提高了在瞬态工况下的可靠性。其最大漏源电压为30V，适用于12V或24V系统中的低电压功率切换应用。此外，2SK1831内置ESD保护二极管，可有效防止静电损伤，增强生产过程中的耐用性。SOT-23小型封装不仅节省空间，还具备良好的散热性能，适合高密度PCB布局。整体而言，2SK1831是一款高性能、高可靠性的N沟道MOSFET，特别适合用于需要高效、紧凑设计的现代电子系统中。

2SK1831广泛应用于各类中小功率电源管理系统中，尤其适用于DC-DC升压或降压转换器，作为同步整流开关或主开关元件使用。在便携式电子设备如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机等产品中，常用于电池充放电控制电路和负载开关模块，实现高效的能量管理与系统节能。此外，该器件也常见于LED背光驱动电路中，用于调节亮度或实现脉宽调制（PWM）控制。
　　在工业控制领域，2SK1831可用于传感器信号调理电路中的电源开关、继电器驱动电路或电机控制中的低端开关，提供快速响应和低功耗运行。由于其具备良好的开关特性和热稳定性，也被广泛应用于开关电源（SMPS）、AC-DC适配器、USB充电模块以及PoE（Power over Ethernet）供电设备中。
　　在汽车电子方面，尽管2SK1831并非车规级器件，但在部分车载辅助设备如行车记录仪、车载照明或信息娱乐系统的电源管理单元中仍有应用。此外，该MOSFET还可用于各种嵌入式系统中的热插拔保护电路、电源多路复用器以及FET开关阵列，实现安全可靠的电源切换功能。得益于其小封装、高性能的特点，2SK1831是许多消费类电子和工业设备中理想的功率开关解决方案。

SI2302, FDN302P, AO3400, BSS138