型号: 25N10G-TN3-R
　　制造商: Diodes Incorporated
　　器件类型: N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）: 100V
　　最大栅源电压（VGS）: ±20V
　　连续漏极电流（ID）@25°C: 2.5A
　　脉冲漏极电流（IDM）: 10A
　　导通电阻RDS(on) @VGS=10V: 0.18Ω（典型值）
　　导通电阻RDS(on) @VGS=4.5V: 0.25Ω（典型值）
　　阈值电压（VGS(th)）: 2.0V ~ 4.0V
　　输入电容（Ciss）: 350pF @VDS=50V
　　输出电容（Coss）: 100pF @VDS=50V
　　反向恢复时间（trr）: 25ns
　　工作结温范围（Tj）: -55°C ~ +150°C
　　封装类型: SOT-23
　　安装方式: 表面贴装
　　是否符合RoHS: 是

25N10G-TN3-R采用先进的沟槽型场效应晶体管工艺，具备优异的导通特性和开关速度。其核心优势之一是低导通电阻，在VGS=10V条件下RDS(on)典型值仅为0.18Ω，这意味着在大电流通过时产生的功率损耗较小，从而提高了系统的能效并减少了散热需求。对于电池供电设备而言，这一点尤为重要，因为它可以直接延长电池续航时间。同时，即使在较低的驱动电压下（如4.5V），该器件仍能保持良好的导通状态，RDS(on)仅上升至0.25Ω左右，展现出出色的逻辑电平兼容性，便于与微控制器、逻辑门或其他低压驱动电路直接接口而无需额外的电平转换或驱动芯片。
　　该MOSFET具有快速的开关响应能力，得益于其较低的输入和输出电容（Ciss=350pF, Coss=100pF），使得在高频开关应用中（如DC-DC转换器）能够实现更高的工作效率和更小的外围元件尺寸。此外，其反向恢复时间较短（trr=25ns），表明其体二极管具有较快的关断特性，有助于降低开关过程中的能量损耗和电磁干扰（EMI）。这一特性在同步整流或H桥驱动等需要频繁换向的应用中尤为关键。
　　从可靠性角度看，25N10G-TN3-R具备宽泛的工作温度范围（-55°C至+150°C），能够在极端环境条件下稳定运行，适用于工业控制、汽车电子等严苛应用场景。器件本身具有较高的热稳定性，结合SOT-23封装的良好热传导性能，可以在有限的空间内实现有效的热量管理。此外，该MOSFET还具备一定的抗雪崩击穿能力，能够在瞬态过压事件中提供一定程度的自我保护，增强了系统的鲁棒性。
　　最后，作为一款符合RoHS和无卤素标准的产品，25N10G-TN3-R满足现代电子产品对环保和安全性的严格要求，适用于出口导向型或高端消费类产品的设计。其卷带包装形式也极大地方便了SMT贴片生产线的自动装配，提升了生产效率和产品一致性。

25N10G-TN3-R广泛应用于各类中小功率电源管理系统中。常见用途包括DC-DC升压/降压转换器，特别是在便携式设备如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机和移动电源中作为主开关或同步整流管使用。其低导通电阻和快速开关特性有助于提升转换效率，减少发热，延长电池寿命。此外，该器件也可用于LED驱动电路，作为恒流源的开关控制元件，实现精确的亮度调节和节能运行。
　　在电池管理系统（BMS）或电源路径管理中，25N10G-TN3-R常被用作负载开关或反向电流阻断元件，利用其低RDS(on)特性来最小化电压降和功耗。它还可用于电机驱动、继电器驱动或电磁阀控制等小功率负载切换场合，替代传统机械继电器以提高响应速度和可靠性。
　　由于其SOT-23小型封装，该MOSFET特别适合空间受限的高密度PCB布局，例如可穿戴设备、物联网传感器节点、无线模块等。同时，其逻辑电平驱动能力使其能够直接由MCU GPIO引脚控制，无需额外驱动电路，简化了系统设计。在适配器、充电器、USB PD电源模块中，该器件也可用于次级侧整流或同步整流拓扑中，进一步提升整体能效。此外，工业测量仪器、医疗电子设备等对可靠性和稳定性要求较高的领域也有广泛应用。

AO3400