2SK1828是一种N沟道MOSFET功率晶体管,广泛应用于高频率和高电压的开关电路中。该器件采用TO-3PF封装形式,具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力,适用于射频放大器、DC-DC转换器以及其他需要高效能开关的场景。
这种晶体管以其出色的高频特性和稳定性而闻名,适合要求苛刻的应用环境,例如工业设备、通信基础设施以及医疗设备等。2SK1828因其卓越的性能参数和可靠性成为许多设计工程师的首选。
最大漏源电压:750V
最大漏极电流:16A
最大栅源电压:±20V
导通电阻:3.5Ω
总功耗:220W
工作温度范围:-55℃至+175℃
2SK1828具备优异的电气性能和热稳定性,能够在极端条件下保持可靠运行。
1. 高击穿电压:其750V的漏源电压使其能够承受高压环境,减少因过压导致的损坏风险。
2. 大电流处理能力:支持高达16A的漏极电流,确保在高负载应用中的稳定表现。
3. 低导通电阻:3.5Ω的导通电阻有助于降低传导损耗,提高整体效率。
4. 良好的热性能:能够在-55℃至+175℃的宽温范围内正常工作,适应多种环境条件。
5. 快速开关速度:得益于其MOSFET结构,能够实现高速开关,减少开关损耗并提升系统性能。
2SK1828适用于各种高电压和大电流的应用场合,包括但不限于以下领域:
1. 射频功率放大器:在通信基站和其他无线通信设备中作为功率放大器的核心元件。
2. DC-DC转换器:用于电源管理模块,提供高效的直流电压转换。
3. 开关电源(SMPS):在各类开关模式电源中起到关键的开关作用。
4. 工业控制:如电机驱动器、逆变器等,以实现精确的电力控制。
5. 医疗设备:用于超声波发生器、X光机等需要高稳定性和高精度的医疗仪器。
2SK2019
2SK2302
IRFP250N