类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：200V
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　漏极电流（ID）：连续：2.0A
　　导通电阻（RDS(on)）：≤2.0Ω @ VGS=10V
　　功率耗散（PD）：2.0W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOT-223

2SK1820(LS)具备多个关键特性，使其适用于多种功率控制应用。首先，其漏源耐压（VDS）为200V，允许在较高电压环境下稳定运行，适用于多种电源系统。其次，栅源电压范围为±30V，具备良好的栅极驱动兼容性，支持多种驱动电路设计。该器件的连续漏极电流为2.0A，可满足中等功率开关应用的需求。
　　此外，2SK1820(LS)的导通电阻较低，在VGS=10V时RDS(on)最大为2.0Ω，有助于降低导通损耗，提高系统效率。其2.0W的功率耗散能力结合SOT-223封装的良好散热性能，确保在较高负载下仍能保持稳定工作。
　　该器件还具备良好的温度稳定性，工作温度范围宽，可在-55°C至+150°C之间运行，适用于工业级和汽车电子应用。SOT-223封装形式体积小巧，便于在紧凑型电路设计中使用，同时便于自动化贴装和焊接。

2SK1820(LS)适用于多种功率电子应用，包括但不限于：开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电池管理系统（BMS）、负载开关控制、LED照明驱动电路、电机驱动电路、电源管理模块以及各种工业自动化控制电路。其高耐压、低导通电阻和良好热性能使其在电源转换和功率控制方面表现出色。由于其封装小巧，也适合在空间受限的便携式设备中作为功率开关使用。

2SK2143, 2SK1707, 2SK1173, FQP2N20